张宝顺

作品数：5被引量：6H指数：1
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供职机构：长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室更多>>
发文主题：半导体激光器MBE生长分子束外延高功率半导体激光器大功率半导体激光器更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《兵工学报》《半导体光电》《电子显微学报》更多>>
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MBE生长GaAlAs/GaAs量子阱激光器材料的光谱和结构特性研究被引量：1
《兵工学报》2001年第3期355-358,共4页李梅 宋晓伟 王晓华 张宝顺 李学千 
本文用低温光致荧光 (PL )谱及 X射线双晶衍射方法对 MBE方法生长的 Ga Al As/Ga As(1 0 0 )量子阱结构材料进行了测试分析。结果表明 ,在材料生长过程中 ,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、 / 速...
关键词：MBE生长 GaAlAs/GaAs量子阱激光器 分子束外延 双晶衍射 
微通道热沉标准单元制作的SEM观察
《电子显微学报》2000年第4期587-588,共2页王晓华 张宝顺 王玉霞 任大翠 张兴德 
关键词：半导体激光器 热沉标准单元 SEM 
具有高特征温度的808nm大功率半导体激光器被引量：5
《半导体光电》1999年第6期388-389,392,共3页高欣 曲轶 薄报学 张宝顺 张兴德 
国防科工委;高功率半导体激光国家重点实验室资助项目!(98JS36.3 .1;CS3602)
研制出利用液相外延方法生长８０８ ｎｍ ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ 分别限制单量子阱激光器，其室温连续输出功率达到４ Ｗ，室温工作的特征温度达到２１８ Ｋ。
关键词：半导体激光器 液相外延 分别限制单量子阱 特征温度 
MBE生长高功率半导体激光器
《半导体光电》1999年第5期366-368,共3页曲轶 高欣 张宝顺 薄报学 张兴德 
对影响分子束外延（ ＭＢＥ） 材料生长的一些主要因素进行了细致的分析。利用ＭＢＥ生长出ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ 梯度折射率分别限制单量子阱激光器（ＧＲＩＮ－ ＳＣＨ－ ＳＱＷ） 材料。利用该材料制作出的列阵半导体激光器的准连...
关键词：半导体激光器 高功率半导体激光器 分子束外延 激光器阵列 
外延技术在半导体激光器中的应用
《长春光学精密机械学院学报》1998年第1期7-10,共4页刘国军 张千勇 杨晗 夏伟 张兴德 薄报学 朱宝仁 寻立春 李学谦 张宝顺 王玲 王玉霞 
本文概述了用于高功率半导体激光器材料制备和器件制作的三种常用的外延方法：液相外延（ＬＰＥ）、金属有机物化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）和分子束外延（ＭＢＥ），分析了各自的特点和局限性。介绍了我们在高功率半导体激光器研究方面...
关键词：高功率 半导体激光器 量子阱 外延 LPE CVD MBE 
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