张千勇

作品数:7被引量:1H指数:0
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发文主题:MBE半导体激光器分子束外延MOCVD系统MOCVD生长更多>>
发文领域:电子电信理学更多>>
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量子阱半导体激光器材料的MBE生长研究
《长春光学精密机械学院学报》1998年第3期15-17,22,共4页刘国军 张千勇 杨晗 曲轶 夏伟 张兴德 李梅 王晓华 李学谦 薄报学 张宝顺 
国防科工委重点资助
本文阐述了分子束外延( MBE) 技术的特点以及在实现大面积均匀的超薄外延层生长中的应用。利用进口MBE 设备, 实现了单量子阱(SQW) 和多量子阱( MQW) 半导体激光器外延片的生长, 并对外延片的电学和光学特性进行了...
关键词:分子束外延 量子阱激光器 半导体 激光器材料 
外延技术在半导体激光器中的应用
《长春光学精密机械学院学报》1998年第1期7-10,共4页刘国军 张千勇 杨晗 夏伟 张兴德 薄报学 朱宝仁 寻立春 李学谦 张宝顺 王玲 王玉霞 
本文概述了用于高功率半导体激光器材料制备和器件制作的三种常用的外延方法:液相外延(LPE)、金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)和分子束外延(MBE),分析了各自的特点和局限性。介绍了我们在高功率半导体激光器研究方面...
关键词:高功率 半导体激光器 量子阱 外延 LPE CVD MBE 
半导体激光器材料的MBE生长被引量:1
《长春光学精密机械学院学报》1997年第3期6-9,共4页刘国军 张千勇 杨晗 张兴德 李学谦 宋晓伟 曲轶 王晓华 
本文概述了我们最新引进的英国VG公司制造的V80H型分子束外延(MBE)设备的技术特点和性能,主要介绍了我们利用这套设备所进行的半导体激光器材料的生长研究工作。
关键词:分子束外延 半导体激光器 MBE 光电子器件 
水平式MOCVD系统生长速率均匀性的研究
《激光技术》1994年第4期220-223,共4页刘国军 徐莉 史全林 王喜祥 张千勇 
本文讨论了影响生长速率的因素,如主载气流量、金属有机源流量(在一定蒸汽压下),衬底放置位置,及掺杂和非掺杂情况等。对实验结果进行了讨论,并与其它文献进行了比较。着重阐述了改善侧向均匀性问题。
关键词:MOCVD 生长速率 均匀性 掺杂 
MOCVD生长前的衬底处理实验研究
《长春光学精密机械学院学报》1993年第4期58-60,共3页刘国军 徐莉 王喜祥 史全林 张千勇 
本文通过实验研究,讨论了实验参数对衬底表面形貌和MOCVD生长样品质量的影响,与文献所给实验条件进行了比较。
关键词:衬底 金属有机化合物 气相淀积 试验 
水平式MOCVD系统生长速度均匀性的研究
《长春光学精密机械学院学报》1993年第1期11-15,共5页刘国军 徐莉 史全林 王喜祥 张千勇 
本文讨论了影响生长速度的因素,如主载气流量、金属有机源流量(在一定蒸气压下),衬底放置位置,及掺杂和非掺杂情况等.对实验结果进行了计论,并与其它文献进行了比较.着重阐述了改善侧向均匀性问题.
关键词:MOVCD 生长速率 均匀性 
国产MO源的GaAs、GaAlAs的MOCVD生长
《长春光学精密机械学院学报》1991年第2期19-20,共2页张千勇 史全林 王喜祥 徐莉 
本文报导了采用国产MOCVD装置和MO源材料生长GaAs、GaALAs多层结构的实验情况,探索MOCVD装置和MO源材料全部国产化的途径,初步获得比较满意的结果,为器件的研究奠定初步基础。
关键词:MOCVD 外延生长 掺杂 半导体薄膜 
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