激光器材料

作品数：20被引量：22H指数：3
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蓝绿光半导体激光器将国产化
《新材料产业》2018年第3期78-79,共2页
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所（以下简称“中科院苏州纳米所”）与多家企业合作，成立了国内首家氮化镓基蓝绿光半导体激光器材料和器件生产企业。这意味着，被国外垄断的蓝绿光半导体激光器将实现国产化。
关键词：半导体激光器 国产化 蓝绿光 纳米技术 激光器材料 企业合作 生产企业 光半导体 
蓝绿光半导体激光器将国产化
《半导体信息》2018年第1期17-17,共1页
近日从中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所（以下简称中科院苏州纳米所）获悉，该研究所与多家企业合作，成立了国内首家氮化镓基蓝绿光半导体激光器材料和器件生产企业。这意味着，被国外垄断的蓝绿光半导体激光器将实现国产化。
关键词：半导体激光器 国产化 蓝绿光 纳米技术 激光器材料 企业合作 生产企业 光半导体 
全球氮化镓激光器材料及器件研究现状被引量：2
《新材料产业》2015年第10期44-48,共5页刘建平 杨辉 
氮化物半导体材料，也称为氮化镓（GaN）基材料，是继硅（Si）、砷化镓（GaAS）之后的第3代半导体材料，包含了GaN、氮化铝（AlN）和氮化铟（InN）及它们的合金（禁带宽度范围为0．7～6．2eV），是直接带隙半导体，
关键词：激光器材料 氮化镓 半导体材料 器件 禁带宽度 直接带隙 氮化物 第3代 
1.3μm AlGaInAs/InP量子阱激光器材料研究被引量：2
《微纳电子技术》2013年第4期220-223,共4页陈宏泰 车相辉 张宇 赵润 杨红伟 余般梅 王晶 位永平 林琳 
设计制作了适用于无致冷工作的通讯用1.3μm量子阱激光器材料,并制作成单模芯片进行特性分析研究。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺生长了AlGaInAs/InP应变补偿量子阱材料,采用此外延材料制作的脊宽为2.5μm脊形波导结构FP单模激...
关键词：1 3 μm FP激光器材料 无致冷 ALGAINAS INP MOCVD 
MOCVD生长GaAsP/InGa(Al)P/GaAs大功率808nm张应变量子阱激光器材料
《人工晶体学报》2012年第S1期285-288,共4页蒋锴 李沛旭 张新 李树强 夏伟 汤庆敏 胡小波 徐现刚 
国家高技术研究发展计划(863计划)专项(2009AA032705);国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CB301904;2009CB930503);国家自然科学基金(51021062;11134006)
设计了808 nm高功率GaAsP/InGaAlP/GaAs半导体激光器,采用无铝张应变量子阱和非对称宽波导结构,通过优化金属有机物气相沉积(LP-MOCVD)生长条件,提高了外延材料的生长质量,有效提升了激光器转化效率和输出功率。制作了200μm条宽、1500...
关键词：量子阱激光器 张应变 非对称结构 金属有机物化学气相沉积 
高效率976nm激光器材料被引量：5
《微纳电子技术》2010年第1期29-32,共4页田秀伟 陈宏泰 车相辉 林琳 王晶 张世祖 徐会武 刘会民 王晓燕 杨红伟 安振峰 
使用自洽二维数字模拟软件优化半导体激光器的外延结构,对GaInAs/AlGaAs分别限制压应变单量子阱结构进行了模拟,研究了包层和波导层的Al组分对工作电压的影响。根据模拟结果,采用金属有机化学淀积(MOCVD)技术,外延生长了单量子阱976nm...
关键词：金属有机化学淀积 压应变 转换效率 自洽二维数字模拟 工作电压 AL组分 
应用晶片键合技术制作激光器
《半导体技术》2004年第11期45-48,共4页牛健 陈国鹰 花吉珍 赵卫青 
针对于普通外延生长GaAs衬底激光器材料中存在的位错严重、热胀系数不匹配等问题,总结了国外键合工艺,将其应用于发光波长为850nm的AlGaAs脊波导量子阱激光器的制造,并提出了键合过程中各项关键步骤应注意的问题和解决方法。
关键词：晶片键合 激光器材料 GAAS衬底 脊波导 键合工艺 量子阱激光器 发光波长 技术 问题 国外 
垂直腔面发射激光器材料的X射线双晶衍射分析
《长春理工大学学报（自然科学版）》2004年第2期35-36,34,共3页刘文莉 李林 钟景昌 张永明 赵英杰 郝永琴 王勇 苏伟 晏长岭 
国防科技重点实验室基金项目 ( 5 14 5 6 ZS3 60 3 )
利用X射线双晶衍射方法 ,测定了垂直腔面发射激光器 (VCSEL)材料的衍射回摆曲线 ,除了主衍射峰 (“0”级衍射峰外 ) ,还观察到一级和二级卫星峰。同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中衍射峰的劈裂现象进行了理论分析。“0”级衍射峰半...
关键词：X射线双晶衍射 回摆曲线 卫星峰 
利用边发射光致发光谱研究垂直腔面发射激光器材料的特性被引量：3
《Journal of Semiconductors》2003年第10期1067-1071,共5页钮金真 李国华 
在室温下测量了GaInP/AlGaInP垂直腔面发射激光器 (VCSEL)的光致发光谱和反射谱 .通过反射谱测量可以很容易得到激光器的腔模波长 .但是用通常的背散射配置不能测得与有源区中量子阱有关的光致发光信号 .用边激发配置可以测到量子阱的...
关键词：半导体激光器 光致发光 边发射 
惯性约束核聚变用激光玻璃的研究进展被引量：3
《材料导报》2002年第11期32-34,共3页陶辉锦 卢安贤 唐晓东 隋展 
阐述了惯性约束核聚变用激光玻璃的应用背景;着重介绍了国内外在激光玻璃材料研究开发方面的状况、主要成就及存在的问题并展望了其发展方向。
关键词：研究进展 惯性约束核聚变 激光玻璃 激光器材料 
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