云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- ALGAINAS

ALGAINAS: 作品数：27被引量：33H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：金锦炎马宏杨新民李同宁易新建更多>>; 相关机构：中国科学院武汉邮电科学研究院华中科技大学清华大学更多>>; 相关期刊：《半导体光电》《Chinese Physics Letters》《光子学报》《Science Bulletin》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金更多>>

Regrowth-free AlGaInAs MQW polarization controller integrated with a sidewall grating DFB laser被引量：1: 《Photonics Research》2023年第4期622-630,共9页XIAO SUN SONG LIANG WEIQING CHENG SHENGWEI YE YIMING SUN YONGGUANG HUANG RUIKANG ZHANG JICHUAN XIONG XUEFENG LIU JOHN HMARSH LIANPING HOU; Engineering and Physical Sciences Research Council(EP/R042578/1);Chinese Ministry of Education Collaborative Project(B17023)。; Polarization control is at the heart of high-capacity data optical communication systems,such as polarizationdivision multiplexers and Stokes vector modulation transmitters.Despite passive polarization control being m...; 关键词：polarization waveguide ROTATION

用于共封装光学的高功率连续波DFB激光器: 《半导体光电》2022年第2期267-272,共6页刘耀黄永光张瑞康刘祎慧; 国家重点研发计划项目(2018YFB2201500)。; 为了应对共封装光学(CPO)系统对硅光外置光源提出的高功率、低噪声、低功耗等要求,设计了一种波长在1310 nm附近的AlGaInAs多量子阱(MQW)高功率连续波(CW)分布反馈(DFB)激光器芯片。通过在有源层MQW的下方插入一层InGaAsP远场减小层,实...; 关键词：共封装光学连续波多量子阱 ALGAINAS 分布反馈激光器

Hybrid AlGaInAs/Si Fabry–Pérot lasers with near-total mode confinements: 《Journal of Semiconductors》2018年第8期41-46,共6页Yuede Yang Shaoshuai Sui Mingying Tang Jinlong Xiao Yun Du Andrew W.Poon Yongzhen Huang; supported by the Key Research Program of Frontier Sciences,Chinese Academy of Sciences(No.QYZDJ-SSW-JSC002);the NSFC/RGC Joint Project(No.61431166003);the National Natural Science Foundation of China(No.61377105); We have proposed and demonstrated hybrid Al Ga In As/Si Fabry–Pérot(FP) lasers, with the FP cavity facet covered by the p-electrode metal for enhancing mode confinement. Continuous-wave lasing is obtained at room te...; 关键词：hybrid AlGaInAs/Si laser Fabry–Pérot cavity mode Q factor metal confinement

反射式倒装对1300 nm激光器性能改善的分析被引量：2: 《发光学报》2018年第4期534-540,共7页薛正群王凌华苏辉; 国家自然科学基金(61405198);国家863计划(2013AA014202)资助项目~~; 对AlGaInAs多量子阱1300nmFP激光器进行反射式倒装封装,在热沉上靠近激光器出光端面约10~20μm的区域采用Au反射层,对器件垂直方向出光进行反射。测试结果显示,与常规封装相比,采用这种结构封装芯片垂直发散角从34.5°降低至17°,器件...; 关键词：AlGaInAs多量子阱激光器倒装 Au反射层发散角加速老化

温度对InP激光器波长蓝移影响的分析被引量：6: 《光子学报》2018年第1期7-12,共6页薛正群王凌华苏辉; 国家自然科学基金(No.61405198);国家高技术研究发展计划(No.2013AA014202)资助~~; 对AlGaInAs多量子阱FP TO-56半导体激光器在不同环境温度、相同发热量下测量出光波长的变化来分析器件波长温度变化系数;并对器件在室温、不同发热功率下的出光波长变化进行测量,分析计算得到器件热阻为183K/W.接着对器件进行不同高温...; 关键词：AlGaInAs多量子阱激光器高温失效热阻波长蓝移发散角

AlGaInAs多量子阱材料增益偏振相关性分析: 《光学与光电技术》2017年第3期44-48,共5页孙然缪庆元何平安余文林; 国家自然科学基金(60877039)资助项目; 考虑光场限制因子、温度变化和阱间载流子非均匀分布,给出AlGaInAs多量子阱增益求解的分析模型。对量子阱应变量、阱宽和载流子浓度对材料增益TE模和TM模的影响进行了分析。设计出C波段内增益低偏振相关的混合应变多量子阱结构。在15~4...; 关键词：AlGaInAs多量子阱增益低偏振相关温度

Design and Realization of InP/AlGaInAs MultipleQuantum Well Ring Laser被引量：3: 《Transactions of Tianjin University》2014年第6期402-406,共5页Xie Sheng Guo Jing Guan Kun Mao Luhong Guo Weilian Qi Lifang Li Xianjie; Supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61106052); Using beam propagation method （BPM）, key optical design parameters of InP/AlGaInAs multiple quantumwell （MQW） ring laser were numerically analyzed. The influences of waveguide dimensions, curvature radiusand gap s...; 关键词：semiconductor laser MULTIPLE quantum WELL optical BISTABILITY ALGAINAS

High power single mode 980 nm AlGaInAs/AlGaAs quantum well lasers with a very low threshold current: 《Journal of Semiconductors》2013年第11期70-73,共4页董振王翠鸾井红旗刘素平马骁宇; supported by the National Military Electronic Component Program of China(No.1107XG0700); To achieve low threshold current as well as high single mode output power, a graded index separate confinement heterostructure （GRIN-SCH） A1GaInAs/A1GaAs quantum well laser with an optimized ridge wave- guide was fa...; 关键词：semiconductor laser low threshold ridge waveguide single mode

1.3μm AlGaInAs/InP量子阱激光器材料研究被引量：1: 《微纳电子技术》2013年第4期220-223,共4页陈宏泰车相辉张宇赵润杨红伟余般梅王晶位永平林琳; 设计制作了适用于无致冷工作的通讯用1.3μm量子阱激光器材料,并制作成单模芯片进行特性分析研究。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺生长了AlGaInAs/InP应变补偿量子阱材料,采用此外延材料制作的脊宽为2.5μm脊形波导结构FP单模激...; 关键词：1 3 μm FP激光器材料无致冷 ALGAINAS INP MOCVD

基于高速EAM集成光源的微波光纤传输链路被引量：2: 《半导体光电》2012年第5期711-714,共4页朱军浩熊兵孙长征罗毅; 国家"973"计划项目(2012CB315605;2011CB301900);国家"863"计划项目(2011AA03A112;2011AA03A106;2011AA03A105);国家科技支撑计划项目(2011BAE01B07);国家自然科学基金项目(61176015;60723002;61176059;60977022;51002085);北京市自然科学基金项目(4091001); 基于AlGaInAs多量子阱高速电吸收调制器(EAM)集成光源,构建了微波光纤传输链路,并研究了掺铒光纤放大器(EDFA)对其链路特性的影响,实现了40GHz频段97.4dB.Hz2/3的无失真动态范围。; 关键词：AlGaInAs多量子阱电吸收调制器掺铒光纤放大器无失真动态范围

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