孙然

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供职机构：武汉大学电子信息学院更多>>
发文主题：ALGAINAS多量子阱材料多量子阱偏振相关偏振更多>>
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AlGaInAs多量子阱材料增益偏振相关性分析
《光学与光电技术》2017年第3期44-48,共5页孙然 缪庆元 何平安 余文林 
国家自然科学基金(60877039)资助项目
考虑光场限制因子、温度变化和阱间载流子非均匀分布,给出AlGaInAs多量子阱增益求解的分析模型。对量子阱应变量、阱宽和载流子浓度对材料增益TE模和TM模的影响进行了分析。设计出C波段内增益低偏振相关的混合应变多量子阱结构。在15~4...
关键词：AlGaInAs多量子阱 增益 低偏振相关 温度 
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