全球氮化镓激光器材料及器件研究现状  

作　　者：刘建平[1] 杨辉[1] 

机构地区：[1]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

出　　处：《新材料产业》2015年第10期44-48,共5页Advanced Materials Industry

摘　　要：氮化物半导体材料，也称为氮化镓（GaN）基材料，是继硅（Si）、砷化镓（GaAS）之后的第3代半导体材料，包含了GaN、氮化铝（AlN）和氮化铟（InN）及它们的合金（禁带宽度范围为0．7～6．2eV），是直接带隙半导体，

关 键 词：激光器材料 氮化镓 半导体材料 器件 禁带宽度 直接带隙 氮化物 第3代 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]