应用晶片键合技术制作激光器  

Wafer Bonding Used for Laser

作　　者：牛健[1] 陈国鹰[1] 花吉珍[2] 赵卫青[1] 

机构地区：[1]河北工业大学研究生学院,天津300130 [2]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051

出　　处：《半导体技术》2004年第11期45-48,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：针对于普通外延生长GaAs衬底激光器材料中存在的位错严重、热胀系数不匹配等问题,总结了国外键合工艺,将其应用于发光波长为850nm的AlGaAs脊波导量子阱激光器的制造,并提出了键合过程中各项关键步骤应注意的问题和解决方法。This work focuses on the problem of the serious dislocation and thermal expansion coefficientmismatch in GaAs substrate laser materials, and concludes overseas technology of bonding, then AlGaAs SQWridge-waveguide lasers were fabricated. At last we put forword some problems in the process of bonding andthe ways to solve them.

关 键 词：晶片键合 激光器材料 GAAS衬底 脊波导 键合工艺 量子阱激光器 发光波长 技术 问题 国外 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学] TN312.8