MOCVD生长GaAsP/InGa(Al)P/GaAs大功率808nm张应变量子阱激光器材料  

MOCVD Growth of GaAsP/InGa(Al)P/GaAs High Power 808 nm Laser Diode Material with Tensile Strained Quantum Well

作　　者：蒋锴[1,2] 李沛旭 张新 李树强[1,2] 夏伟 汤庆敏[2] 胡小波 徐现刚 

机构地区：[1]山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100 [2]山东华光光电子有限公司,济南250101

出　　处：《人工晶体学报》2012年第S1期285-288,共4页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：国家高技术研究发展计划(863计划)专项(2009AA032705);国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CB301904;2009CB930503);国家自然科学基金(51021062;11134006)

摘　　要：设计了808 nm高功率GaAsP/InGaAlP/GaAs半导体激光器,采用无铝张应变量子阱和非对称宽波导结构,通过优化金属有机物气相沉积(LP-MOCVD)生长条件,提高了外延材料的生长质量,有效提升了激光器转化效率和输出功率。制作了200μm条宽、1500μm腔长的激光器器件,室温连续条件(CW)测试其阈值电流为650 mA,斜率效率高达到1.35 W/A,输出功率在11 W以上,激射波长808.5 nm@5A,水平和垂直发散角分别为8°和30°,较小的发散角有效的提高了输出光功率密度。设计了808 nm高功率GaAsP/InGaAlP/GaAs半导体激光器,采用无铝张应变量子阱和非对称宽波导结构,通过优化金属有机物气相沉积(LP-MOCVD)生长条件,提高了外延材料的生长质量,有效提升了激光器转化效率和输出功率。制作了200μm条宽、1500μm腔长的激光器器件,室温连续条件(CW)测试其阈值电流为650 mA,斜率效率高达到1.35 W/A,输出功率在11 W以上,激射波长808.5 nm@5A,水平和垂直发散角分别为8°和30°,较小的发散角有效的提高了输出光功率密度。

关 键 词：量子阱激光器 张应变 非对称结构 金属有机物化学气相沉积 

分 类 号：O7[理学—晶体学]