水平式MOCVD系统生长速率均匀性的研究  

Research on growth rate uniformity in horizontal MOCVD systems

作　　者：刘国军[1] 徐莉[1] 史全林[1] 王喜祥[1] 张千勇[1] 

机构地区：[1]长春光学精密机械学院

出　　处：《激光技术》1994年第4期220-223,共4页Laser Technology

摘　　要：本文讨论了影响生长速率的因素，如主载气流量、金属有机源流量（在一定蒸汽压下），衬底放置位置，及掺杂和非掺杂情况等。对实验结果进行了讨论，并与其它文献进行了比较。着重阐述了改善侧向均匀性问题。This paper discusses the main factor of affecting growth rate in MOCVD system,such as the flow rate of carriers gas and organometallic source, position of sub-strate,doping and undoping, etc. The experimental results are discussed and comparedwith other literatures. The lateral uniformity problem has been emphasizes.

关 键 词：MOCVD 生长速率 均匀性 掺杂 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学]