量子阱半导体激光器材料的MBE生长研究  

MBE Growth of QW Semiconductor Laser Materials

作　　者：刘国军[1] 张千勇[1] 杨晗 曲轶 夏伟 张兴德 李梅 王晓华 李学谦 薄报学 张宝顺 

机构地区：[1]长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室

出　　处：《长春光学精密机械学院学报》1998年第3期15-17,22,共4页Journal of Changchun Institute of Optics and Fine Mechanics

基　　金：国防科工委重点资助

摘　　要：本文阐述了分子束外延（ ＭＢＥ） 技术的特点以及在实现大面积均匀的超薄外延层生长中的应用。利用进口ＭＢＥ 设备， 实现了单量子阱（ＳＱＷ） 和多量子阱（ ＭＱＷ） 半导体激光器外延片的生长， 并对外延片的电学和光学特性进行了测试和分析。This paper describes the Molecular Beam Epitaxy(MBE)technology and its applications in large area homogeneous super thin epilayers growth. We carried out the growth of SQW and MQW laser struchures with imported VG V80H MBE system. Electronic and optical characteristics of the epi-layers are analysed in detail.

关 键 词：分子束外延 量子阱激光器 半导体 激光器材料 

分 类 号：TN244[电子电信—物理电子学] TN304.054