半导体激光器材料的MBE生长  

MBE Growth of Semiconductor Laser Materials

作　　者：刘国军[1] 张千勇[1] 杨晗 张兴德 李学谦 宋晓伟 曲轶 王晓华 

机构地区：[1]长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室

出　　处：《长春光学精密机械学院学报》1997年第3期6-9,共4页Journal of Changchun Institute of Optics and Fine Mechanics

摘　　要：本文概述了我们最新引进的英国VG公司制造的V80H型分子束外延（MBE）设备的技术特点和性能，主要介绍了我们利用这套设备所进行的半导体激光器材料的生长研究工作。This paper summarizes the characteristics and performance of our newly imported VGV8OH MBE equipment. Semiconductor laser materials growth work with this equipment is presented here,with detailed discussions.

关 键 词：分子束外延 半导体激光器 MBE 光电子器件 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学] TN244