王玲

作品数：5被引量：3H指数：1
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供职机构：长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室更多>>
发文主题：大功率高功率THSQW分别限制结构更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体光电》《发光学报》《固体电子学研究与进展》更多>>
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大功率InGaAsP/InGaP/GaAs激光器特性研究
《固体电子学研究与进展》2003年第1期11-13,共3页李忠辉 高欣 李梅 王玲 张兴德 
介绍了无铝激光器的优点 ;利用 LP-MOVPE生长了 In Ga As P/In Ga P/Ga As分别限制异质结构单量子阱 (SCH-SQW)结构 ,讨论了激光器的腔长对特征温度的影响。对于条宽 1 0 0 μm、腔长 1 mm腔面未镀膜的激光器 ,连续输出光功率为 1 .2 W...
关键词：InGaAsP/InGaP/GaAs 分别限制异质结构 单量子阱 无铝激光器 大功率量子阱激光器 测试 
大功率GRIN-SCH-SQW激光器阵列
《固体电子学研究与进展》2002年第3期255-256,264,共3页李忠辉 王玲 李梅 高欣 张兴德 
分析了梯度折射率分别限制单量子阱 (GRIN-SCH-SQW)结构的特点以及对大功率半导体激光器特性的影响。利用分子束外延系统生长 Ga Al As/Ga As GRIN-SCH-SQW结构 ,经光荧光谱、X-射线双晶衍射、和载流子浓度测试 ,结果表明 ,该结构各参...
关键词：GRIN-SCH-SQW 分子束外延 阵列半导体激光器 分别限制 量子阱 
InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对J_(th)和η_d的影响被引量：3
《半导体光电》2002年第2期90-91,95,共3页李忠辉 李梅 王玲 高欣 王玉霞 张兴德 
利用LP MOCVD生长InGaAsP/InGaP/GaAsSCH SQW结构 ,制作了宽接触条形激光器 ,研究发现微分量子效率在中等腔长范围内有极大值 ;腔长较短时 。
关键词：分别限制结构 阈值电流密度 外微分量子效率 
高功率线性梯度折射率GaAs/AlGaAs单量子阱激光器
《发光学报》2002年第1期90-92,共3页李忠辉 王玉霞 高欣 李梅 王玲 张兴德 
应用MOVPE研制出梯度折射率分别限制GaAs/AlGaAs单量子阱激光器 ,室温单面连续输出光功率超过 5 0 0mW ,激射波长为 82 0 3nm 。
关键词：梯度折射率 单量子阱激光器 砷化镓 GAAS/ALGAAS 输出功率 镓铝砷化合物 
外延技术在半导体激光器中的应用
《长春光学精密机械学院学报》1998年第1期7-10,共4页刘国军 张千勇 杨晗 夏伟 张兴德 薄报学 朱宝仁 寻立春 李学谦 张宝顺 王玲 王玉霞 
本文概述了用于高功率半导体激光器材料制备和器件制作的三种常用的外延方法：液相外延（ＬＰＥ）、金属有机物化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）和分子束外延（ＭＢＥ），分析了各自的特点和局限性。介绍了我们在高功率半导体激光器研究方面...
关键词：高功率 半导体激光器 量子阱 外延 LPE CVD MBE 
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