InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对J_(th)和η_d的影响  

Effect of Cavity Length on J_(th) and η_d of InGaAsP/InGaP/GaAs SQW Lasers

作　　者：李忠辉[1] 李梅[1] 王玲[1] 高欣[1] 王玉霞[1] 张兴德[1] 

机构地区：[1]长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130022

出　　处：《半导体光电》2002年第2期90-91,95,共3页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：利用LP MOCVD生长InGaAsP/InGaP/GaAsSCH SQW结构 ,制作了宽接触条形激光器 ,研究发现微分量子效率在中等腔长范围内有极大值 ;腔长较短时 。InGaAsP/InGaP/GaAs SCH SQW lasers are fabricated by LP-MOCVD technology.The effect of cavity length on threshold current density and external differential quantum efficiency is discussed.

关 键 词：分别限制结构 阈值电流密度 外微分量子效率 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]