分别限制结构

作品数：5被引量：10H指数：2
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相关作者：康志龙陈国鹰安振峰辛国锋花吉珍更多>>
相关机构：长春光学精密机械学院长春理工大学中国电子科技集团第十三研究所河北工业大学更多>>
相关期刊：《光学学报》《半导体光电》《光子学报》《光电子．激光》更多>>
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941nm 2%占空比大功率半导体激光器线阵列被引量：4
《光子学报》2004年第5期521-524,共4页辛国锋 花吉珍 陈国鹰 康志龙 杨鹏 徐会武 安振峰 
河北省科技攻关项目 (编号 :0 32 1 35 4 0D);河北省自然科学基金 (编号 :6 0 30 80 )项目
计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系 ,确定了94 1nm波长的量子阱宽度和In组分 并利用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料 利用该材料制成半...
关键词：金属有机化合物气相淀积 半导体激光器阵列 分别限制结构 单量子阱 
InGaAs/AlGaAs941nm高功率半导体激光二极管阵列被引量：2
《光电子．激光》2003年第7期698-700,共3页辛国锋 花吉珍 陈国鹰 康志龙 冯荣珠 安振峰 
利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光器线阵的峰值波长为941nm,光谱的半高全宽(FWHM)为3.3nm,在400μs、50Hz的输入电流下,输出峰值功率达到67.9W...
关键词：金属有机化合物气相淀积 MOCVD 半导体激光器 分别限制结构 单量子阱 激光二极管 
InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对J_(th)和η_d的影响被引量：3
《半导体光电》2002年第2期90-91,95,共3页李忠辉 李梅 王玲 高欣 王玉霞 张兴德 
利用LP MOCVD生长InGaAsP/InGaP/GaAsSCH SQW结构 ,制作了宽接触条形激光器 ,研究发现微分量子效率在中等腔长范围内有极大值 ;腔长较短时 。
关键词：分别限制结构 阈值电流密度 外微分量子效率 
高功率GaAlAs/GaAsSQW激光器
《长春光学精密机械学院学报》1999年第4期60-62,共3页宋晓伟 王玲 王玉霞 张宝顺 薄报学 
利用分子束外延生长装置生长出了GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。利用该材料制作的激光二极管 ,室温连续工作 ,功率为 1W ,斜率效率达到 1 0 4W
关键词：半导体激光器 分别限制结构 量子阱 
高功率808 nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器被引量：1
《光学学报》1997年第12期1614-1617,共4页朱宝仁 张兴德 薄报学 张宝顺 杨忠和 
介绍了研究分别限制结构的（ＳＣＨ）ＩｎＧａＡｓＰ－ＧａＡｓ半导体激光器所得到的最新成果。利用引进的俄国技术，基于量子阱（ＱＷ）结构的ＩｎＧａＡｓＰ－ＧａＡｓ激光器，可用短时间液相外延（ＬＰＥ）技术制造。在（１００）Ｇ...
关键词：半导体激光器 高功率 分别限制结构 
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