InGaAs/AlGaAs941nm高功率半导体激光二极管阵列  

InGaAs/AlGaAs 941 nm High Output Power Semiconductor Laser Diode Arrays

作　　者：辛国锋[1] 花吉珍[2] 陈国鹰[1] 康志龙[1] 冯荣珠[2] 安振峰[2] 

机构地区：[1]河北工业大学信息工程学院微电子所,天津300130 [2]中国电子科技集团公司电子第十三研究所光电专业部,河北石家庄050051

出　　处：《光电子．激光》2003年第7期698-700,共3页Journal of Optoelectronics·Laser

摘　　要：利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光器线阵的峰值波长为941nm,光谱的半高全宽(FWHM)为3.3nm,在400μs、50Hz的输入电流下,输出峰值功率达到67.9W,斜率效率高达0.85W/A(64%)。InGaAs/GaAs separated confinement heterostructure strained single quantum well material was grown by metallorganic chemical vapor deposition (MOCVD). The peak wavelength of the semiconductor laser linear arrays made of the material is 941 nm, the full width at half maximum (FWHM ) is 3.3 nm, the peak output power is 67.9 W (400 μs, 50 Hz, driving current 100 A), and the slop efficiency is 0.85 W/A (64%).

关 键 词：金属有机化合物气相淀积 MOCVD 半导体激光器 分别限制结构 单量子阱 激光二极管 

分 类 号：TN248.2[电子电信—物理电子学]