冯荣珠

作品数：7被引量：23H指数：3
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：金属有机化合物气相淀积高功率单量子阱半导体激光器材料结构更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《激光与光电子学进展》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《中国激光》更多>>
所获基金：河北省科技攻关计划河北省自然科学基金更多>>
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941nm连续波高功率半导体激光器线阵列被引量：4
《功能材料与器件学报》2004年第2期269-272,共4页辛国锋 花吉珍 陈国鹰 康志龙 安振峰 冯荣珠 
河北省科技攻关重点项目(No.03213540D)
用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成了半导体激光器线阵列,连续波工作条件下的中心激射波长、为940.5nm,输出功率高达37.7W(45A、2.0V),斜率效率可达0.99W/A...
关键词：高功率 金属有机化合物气相淀积 半导体激光器阵列 单量子阱 
941nm大功率应变单量子阱激光器的波长设计被引量：8
《物理学报》2004年第5期1293-1298,共6页辛国锋 陈国鹰 花吉珍 赵润 康志龙 冯荣珠 安振峰 
河北省科技攻关重点项目 (批准号 :0 3 2 13 5 40D);河北省自然科学基金 (批准号 :60 3 0 80 )资助的课题~~
从薛定谔方程出发推导了阶梯形有限深应变单量子阱中的特征值方程 ,研究了台阶宽度对激射波长、电子第一子能级、空穴第一子能级的影响以及空穴第一子能级对激射波长的影响 ,计算结果表明当有源区In组分较大时 ,不能忽略空穴第一子能级...
关键词：薛定谔方程 有限深势阱 应变量子阱 特征值方程 量子阱激光器 空穴第一子能级 
半导体激光器阵列隔离槽的湿法腐蚀
《Journal of Semiconductors》2003年第10期1089-1092,共4页辛国锋 陈国鹰 冯荣珠 花吉珍 安振峰 牛健 赵卫青 
河北省科技攻关 (编号 :0 32 135 40D);河北省自然科学基金 (编号 :6 0 30 80 )资助项目~~
研究了几种腐蚀液对半导体激光器阵列外延材料的腐蚀过程 ,其中HF(40 %) /CrO3 (33wt%)腐蚀液比较适合 ,用扫描电子显微镜 (SEM)对其腐蚀情况进行了分析 ,并给出了利用这种腐蚀液进行腐蚀的半导体激光器阵列隔离槽的图像 .通过调节HF/Cr...
关键词：化学湿法腐蚀 半导体激光器阵列 扫描电子显微镜 
InGaAs/AlGaAs半导体激光器二维阵列被引量：5
《中国激光》2003年第8期684-686,共3页辛国锋 陈国鹰 冯荣珠 花吉珍 安振峰 
用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术外延生长了InGaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光器一维线阵列 ,然后再串联组装成二维阵列 ,在 1 0 0 0 μs的输入脉宽下 ,输出峰值功率达到 730W (77A) ,输出...
关键词：激光技术 半导体激光器 金属有机化合物气相淀积 二维阵列 分别限制单量子阱 
连续波工作高功率应变单量子阱半导体激光器被引量：2
《固体电子学研究与进展》2003年第4期476-479,共4页辛国锋 陈国鹰 花吉珍 康志龙 赵卫青 安振峰 冯荣珠 牛健 
河北省科技攻关重点项目(编号0 3 2 13 540 D);河北省自然科学基金项目(编号 60 3 0 80)
利用金属有机化合物气相淀积 ( MOCVD)技术成功生长了 In Ga As/Ga As/Al Ga As分别限制应变单量子阱材料 ,用该材料制成的单管半导体激光器在室温下连续波输出功率高达 2 .36 W,中心激射波长为 94 4nm,斜率效率高达 0 .96 W/A,阈值电...
关键词：应变单量子阱 半导体激光器 金属有机化合物气相淀积 连续波 MOCVD 结构设计 材料结构 
InGaAs/AlGaAs941nm高功率半导体激光二极管阵列被引量：2
《光电子．激光》2003年第7期698-700,共3页辛国锋 花吉珍 陈国鹰 康志龙 冯荣珠 安振峰 
利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光器线阵的峰值波长为941nm,光谱的半高全宽(FWHM)为3.3nm,在400μs、50Hz的输入电流下,输出峰值功率达到67.9W...
关键词：金属有机化合物气相淀积 MOCVD 半导体激光器 分别限制结构 单量子阱 激光二极管 
9OOnm高功率半导体激光器线阵列被引量：4
《激光与光电子学进展》2003年第3期43-44,共2页辛国锋 冯荣珠 陈国鹰 花吉珍 
利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs分别限制应变单量子阱激光器工作物质。利用它制成半导体激光器线阵列,其峰值波长为900nm,光谱半高全宽小于4nm,在脉宽1000μs、13Hz的输入电流抽运下,输出峰值功率接近60W(室温...
关键词：半导体激光器线阵列 金属有机化台物气相淀积 单量子阱 材料结构 制作工艺 
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