941nm连续波高功率半导体激光器线阵列  

941nm CW high output power semiconductor laser diode array

作　　者：辛国锋[1] 花吉珍[2] 陈国鹰[1] 康志龙[1] 安振峰[2] 冯荣珠[2] 

机构地区：[1]河北工业大学信息工程学院微电子所,天津300130 [2]中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部,石家庄河北050051

出　　处：《功能材料与器件学报》2004年第2期269-272,共4页Journal of Functional Materials and Devices

基　　金：河北省科技攻关重点项目(No.03213540D)

摘　　要：用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成了半导体激光器线阵列,连续波工作条件下的中心激射波长、为940.5nm,输出功率高达37.7W(45A、2.0V),斜率效率可达0.99W/A(外微分量子效率为77％),最高转换效率超过45％,阈值电流密度为117A/cm^2,该波长的半导体激光器是Yb:YAG固体激光器的理想泵浦源。InGaAs/GaAs/AlGaAs separated confinement heterostructure strained single quantum well materials was grown by the Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD). The wavelength of the semiconductor laser linear array made of these materials is 940.5nm, the CW output power is 37.7W (45A, 2.0V), the slop efficiency is 0.99W/A (75%), the electric-optical conversion is over 45%, and the threshold current density is 117A/cm^2 . The semiconductor laser of such wavelength is an ideal pumping source for Yb: YAG solid stated lasers.

关 键 词：高功率 金属有机化合物气相淀积 半导体激光器阵列 单量子阱 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]