王玉霞

作品数：6被引量：4H指数：1
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半导体激光器电极制备中的蒸发技术被引量：1
《半导体技术》2001年第2期54-55,共2页王玉霞 王晓华 李辉 
863项目![863-307-03-01(06)]
介绍了半导体激光器电极的蒸发技术。改进了焊接技术即蒸铟技术，并对使用的铟量、铟的厚度、蒸发电流、蒸发源与被蒸镀的电极之间的距离及铟表面的均匀度进行了实验。最后蒸发出了表面均匀、有金属光泽、厚度合适的理想电极。
关键词：蒸发技术 电极蒸铟 半导体激光器 
高功率GaAlAs/GaAsSQW激光器
《长春光学精密机械学院学报》1999年第4期60-62,共3页宋晓伟 王玲 王玉霞 张宝顺 薄报学 
利用分子束外延生长装置生长出了GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。利用该材料制作的激光二极管 ,室温连续工作 ,功率为 1W ,斜率效率达到 1 0 4W
关键词：半导体激光器 分别限制结构 量子阱 
高功率半导体激光器的欧姆接触
《半导体光电》1998年第5期312-313,共2页王玉霞 任大翠 张宝顺 
国家"八五"预研项目
欧姆接触的好坏，对高功率半导体激光器至关重要。降低接触电阻，有利于降低阈值电流，提高量子效率和延长寿命。为此，在进行了大量的实验后，找到了降低欧姆接触电阻的最佳工艺条件，获得了小于０．０６Ω的最低电阻。
关键词：半导体激光器 欧姆接触 接触电阻 合金 
一种降低半导体激光器接触电阻的有效方法
《光学精密机械》1997年第4期1-3,共3页王玉霞 任大翠 
区域接触的好坏，对高功率半导体激光器至关重要。降低接触电阻，有利于降低阈值，提高效率和延长寿命。为此，我们做了大量的实验，找到了降低区域接触电阻的最佳工艺条件，获得了小于０．０６欧姆的最低电阻。
关键词：欧姆接触 接触电阻 半导体激光器 工艺 
一种装配半导体激光器的新方法
《长春光学精密机械学院学报》1996年第4期50-52,共3页王玉霞 高欣 
本文介绍了在制作半导体激光器的过程中,用热压球焊的方法代替电极压触的方法,减小了激光器的接触电阻,使激光器的阈值电流下降,输出功率提高。
关键词：热压球焊 半导体激光器 接触电阻 装配工艺 
半导体激光器腔面高反射涂层的研究被引量：3
《长春光学精密机械学院学报》1995年第3期67-69,共3页杨晓妍 杨莲 王玉霞 
通过对GaAs－GaAlAs激光器谐振腔后腔面蒸镀ZrO2，MgF2工艺过程，从|理论和实验上分析涂层特性，反射率由无膜时的32％，镀膜后提高到92．5％。保护了器件端面，降低问值电流，提高了激光输出功率和工作寿命。
关键词：高反射膜 谐振腔 半导体激光器 
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