王玲

作品数：3被引量：1H指数：1
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发文主题：激光器反应离子刻蚀光电器件集成电路离子刻蚀更多>>
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高功率GaAlAs/GaAsSQW激光器
《长春光学精密机械学院学报》1999年第4期60-62,共3页宋晓伟 王玲 王玉霞 张宝顺 薄报学 
利用分子束外延生长装置生长出了GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。利用该材料制作的激光二极管 ,室温连续工作 ,功率为 1W ,斜率效率达到 1 0 4W
关键词：半导体激光器 分别限制结构 量子阱 
反应离子刻蚀实验研究被引量：1
《长春光学精密机械学院学报》1996年第4期38-40,共3页王玲 任大翠 张宝顺 
本文报告了应用反应离子刻蚀技术制作半导体激光器件的可行性工艺方法,可以对发展半导体激光器的制作有一定的指导作用。
关键词：反应 离子刻蚀 集成电路 光电器件 
GRINSCH-SQW激光器波导特性的数值分析
《长春光学精密机械学院学报》1995年第4期17-20,共4页李含轩 任大翠 王玲 
分析了具有缓变折射率分别限制单量子讲的波导特性。用有限差分方法解出了波导对于基模的等效折射率。在此基础上，通过计算波导中垂直子激光器结平面方向上的光强过场分布，进而求得有源层的光限制因子及各种波导结构参数对的影响。
关键词：分别限制 增益 单量子阱激光器 波导 
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