离子刻蚀

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刻蚀方式对金标准物质逸出功测量的影响
《分析测试技术与仪器》2024年第6期379-384,共6页徐鹏 赵志娟 刘忍肖 郭延军 章小余 
国家重点研发计划项目(2023YFF0717100)。
为了避免设备未合适校准带来的测量误差,在紫外光电子能谱(UPS)测试前进行标准物质逸出功(WF)的校准,对获得准确可靠的WF参考值至关重要.高纯金片(Au)性能稳定且具有清晰的费米边,是用于WF以及费米能级校准较为便利的标准参考物质.但是...
关键词：紫外光电子能谱 逸出功 仪器校准 离子刻蚀 表面吸附 
不同偏压的Cr离子刻蚀对TiAlN涂层硬质合金的影响
《工具技术》2024年第11期23-29,共7页向艺桐 熊计 向清洲 郭智兴 
四川省科技计划(23ZHCG0030,2023YFG0078,23ZHCG0049)。
本文采用阴极电弧沉积技术在不同偏压下进行Cr离子刻蚀硬质合金,并在其表面沉积TiAlN涂层,研究不同偏压下的Cr离子刻蚀对涂层硬质合金的影响。Cr离子刻蚀后,硬质合金基体表面粗糙度显著增加,且在基体表面能检测到更多的Cr元素;Cr离子刻...
关键词：离子刻蚀 TIALN 硬质合金 阴极电弧沉积 
基于DRIE的太赫兹行波管硅基低损耗慢波结构工艺技术研究
《固体电子学研究与进展》2024年第5期369-373,共5页吴杰 杨扬 刘欣 严可 郑源 冯堃 王政焱 姜理利 黄旼 李忠辉 朱健 陈堂胜 
行波管慢波结构的制造通常采用计算机数字化控制精密机械加工技术。随着工作频率的提升,对慢波结构特征尺寸精度的要求达到微纳米级,导致加工难度大、周期长,成本高昂,一定程度上限制了技术的快速发展。硅基MEMS加工工艺具备优秀的三维...
关键词：太赫兹 慢波结构 低损耗 硅基 MEMS 深反应离子刻蚀(DRIE) 
基于MEMS技术的离子门设计与制备
《微纳电子技术》2024年第10期134-140,共7页任家纬 贾建 高晓光 何秀丽 
国家重点研发计划(2022YFF0708200)。
为了提高小型离子迁移谱仪分辨率,基于微电子机械系统(MEMS)技术设计并制备了Bradbury-Nielsen(BN)离子门。首先简要介绍离子迁移谱仪原理及结构,其次通过SIMION软件对漂移管进行建模,利用统计扩散模拟(SDS)多物理场的仿真程序模拟离子...
关键词：离子门 微电子机械系统(MEMS) 离子迁移谱 有限元仿真 深反应离子刻蚀 
太赫兹真空器件中超深金属慢波结构的微加工技术
《真空科学与技术学报》2024年第9期759-767,共9页姜琪 李兴辉 冯进军 蔡军 潘攀 
大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室基金项目(10249)。
太赫兹真空电子器件物理结构尺寸变化随着波长的减小而减小,对微小结构的尺寸精度与表面粗糙度要求也大大增加。随着器件频率进入到太赫兹频段,慢波结构的深度达到几十微米或者百微米量级,加工的难点主要有:材料为金属,结构超深,表面粗...
关键词：太赫兹真空电子器件 微机电系统 深反应离子刻蚀 紫外−光刻、电铸 慢波结构 
用于E型薄膜制备的双掩膜工艺研究
《压电与声光》2024年第4期505-510,共6页郝一鸣 雷程 王涛龙 余建刚 冀鹏飞 闫施锦 梁庭 
国家重点研发计划资助项目(2023YFB3209100);中央引导地方科技发展资金资助项目(YDZJSX20231B006);山西省重点研发计划资助项目(202302030201001)。
在高温压力传感器中,与C型膜片相比,E型膜片的稳定性强,非线性误差小,相同挠度下灵敏度高。在微机电系统(MEMS)工艺流程中薄膜制备较重要,其形貌结构对传感器的性能影响较大。但E型薄膜的制备过程较难,为制备出形貌良好的E型(硅岛)薄膜...
关键词：双掩膜 E型薄膜 深反应离子刻蚀 刻蚀比 刻蚀形貌 
基于光刻胶修正技术的石英锥形侧壁刻蚀工艺研究
《半导体光电》2024年第4期606-611,共6页刘丹 乌李瑛 沈贇靓 张文昊 刘民 权雪玲 程秀兰 
国家科技部“十四五”重点研发计划“高性能免疫现场检测系统研发”项目(2023YFC2413001)。
基于光刻胶修正技术,采用两步刻蚀法对石英锥形侧壁的刻蚀工艺进行了研究。首先利用Ar,O_(2),CF_(4)气体对光刻胶刻蚀,将光刻胶的垂直侧壁修改为锥形侧壁。然后以此为掩膜实现光刻胶倾斜侧壁向石英材料的转移。两步刻蚀在同一个刻蚀腔...
关键词：石英 光刻胶修正 反应离子刻蚀 倾斜侧壁 
悬浮液等离子喷涂制备Y_(2)O_(3)涂层及耐等离子刻蚀性被引量：1
《无机材料学报》2024年第8期929-936,共8页马文 申喆 刘琪 高元明 白玉 李荣星 
内蒙古自然科学基金(2022MS05003,2021PT0008,JY20220041);内蒙古自治区高校创新科研团队项目(NMGIRT2319)。
随着高端芯片竞争的白热化,Y_(2)O_(3)涂层作为等离子体刻蚀工艺腔的重要组成部分,对其研究逐渐成为科研热点。利用悬浮液等离子喷涂(Suspension Plasma Spraying,SPS)在铝合金表面制备Y_(2)O_(3)涂层,研究了不同工艺参数对涂层的物相...
关键词：悬浮液等离子喷涂 Y_(2)O_(3)涂层 孔隙率 耐等离子刻蚀性 
石英玻璃刻蚀浅锥孔阵列的工艺研究被引量：1
《半导体光电》2024年第3期434-441,共8页乌李瑛 刘丹 权雪玲 程秀兰 张芷齐 高庆学 付学成 徐丽萍 张文昊 马玲 
上海市科技创新行动项目;国家自然科学基金重点项目(62335014);上海交通大学平湖智能光电研究所开放基金(22H010102520);国家科技部“十四五”重点研发计划“高性能免疫现场检测系统研发”项目(2023YFC2413001);2023年上海交通大学决策咨询重点课题项目(JCZXSJA2023-05).
介绍了石英玻璃刻蚀浅锥孔的制备方法。通过紫外接触式光刻系统在石英玻璃上形成光刻胶浅锥孔阵列图案,用电感耦合反应离子刻蚀机(ICP-RIE)进行刻蚀。研究了光刻参数和蚀刻参数(气体流量、气体成分、腔压、ICP功率和偏置功率)对石英玻...
关键词：电感耦合反应离子刻蚀 石英玻璃 干法刻蚀 等离子体 刻蚀倾角 微透镜阵列 锥孔 
离子刻蚀多晶铜机理及其对表面形貌的影响
《材料工程》2023年第12期169-176,共8页易晨曦 田野菲 张浩天 胡跃 鲍明东 
宁波市高技术与重点发展项目(2019B10102,2022Z012)。
为了更好地理解离子刻蚀纯铜表面的形貌及形成机理,采用氩离子注入的方式对多晶纯铜进行刻蚀。通过改变功率参数和原始表面粗糙度的方式探究不同条件下多晶纯铜表面形貌随刻蚀时间变化的规律。采用扫描电子显微镜和白光干涉仪对刻蚀后...
关键词：多晶纯铜 晶粒取向 形貌 粗糙度 
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