反应离子刻蚀实验研究  

Experimental Study of Reaetive Ion Etching

作　　者：王玲[1] 任大翠[1] 张宝顺[1] 

机构地区：[1]长春光机学院国家重点实验室

出　　处：《长春光学精密机械学院学报》1996年第4期38-40,共3页Journal of Changchun Institute of Optics and Fine Mechanics

摘　　要：本文报告了应用反应离子刻蚀技术制作半导体激光器件的可行性工艺方法,可以对发展半导体激光器的制作有一定的指导作用。Etching experiments have been carried out for GaAs and InP wafers with OXFORD 100 Reacctive Ion Etching(RIE) device made in Britain.Etching results of 3.3μm,4μm and 2μm have been obtained under certain conditions.In order to get ideal etching results.We have to optimize etching parameters.

关 键 词：反应 离子刻蚀 集成电路 光电器件 

分 类 号：TN405.983[电子电信—微电子学与固体电子学]