镓铝砷化合物

作品数：19被引量：14H指数：3
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透射式GaAs光电阴极AlGaAs窗层Al组份的X射线衍射分析被引量：1
《光子学报》2002年第4期454-457,共4页李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵 
研究了 Al Ga As窗层中 Al组份的 X射线衍射分析原理和计算方法 。
关键词：GaAs ALGAAS 光电阴极 晶格常量 X线射衍射 砷化镓 镓铝砷化合物 
透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层X射线衍射摇摆曲线研究
《光子学报》2002年第4期458-462,共5页李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵 
利用透射式 Ga As光电阴极 Al Ga As/ Ga As外延层的结构特点及其 X射线衍射摇摆曲线分析方法 ,解释了 Al Ga As/ Ga
关键词：GaAs ALGAAS X射线衍射 光电阴极 外延层 结构特点 砷化镓 镓铝砷化合物 摇摆曲线 
透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层倒易点二维图分析被引量：4
《光子学报》2002年第3期312-316,共5页李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵 
本文介绍了摇摆曲线和倒易点二维图在评价晶格完整性时的特点 ,分析了透射式Ga As光电阴极样品 Al Ga As/Ga As外延层的倒易点二维图 ,获得了晶面弯曲以及Al Ga As外延层中 Al组份变化等方面的信息 ,为优化外延工艺提供了可靠的保证 .
关键词：ALGAAS/GAAS X射线衍射 光电阴极 倒易点二维图 砷化镓 透射式GAAS光电阴极 外延层 镓铝砷化合物 
电沉积Al_xGa_(1-x)As薄膜及性能研究
《功能材料与器件学报》2002年第1期13-17,共5页韩爱珍 王喜莲 高元凯 
利用电共沉积技术,在简单盐和带有络合剂的盐酸溶液中,制备了AlxGa1-xAs三元化合物薄膜。用能谱分析仪测量了薄膜成分,分析结果表明,该膜为符合化学计量比的三元化合物AlxGa1-xAs半导体材料,用分光光度计对膜进行测量,在较宽光波波段获...
关键词：电共沉积 三元化合物 半导体薄膜 砷化镓 性能 镓铝砷化合物 
透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层在热应力作用下晶格弯曲的倒易点二维图研究被引量：1
《光子学报》2002年第2期200-204,共5页李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵 
本文介绍了倒易点及其倒易点二维图的概念、倒易点形状及其倒易点二维图同晶格形变的关系 ,推导了热应力作用下双层膜发生弯曲的理论公式 ,阐明了晶格弯曲的原因和晶格倒易点二维图展宽的方向 ,分析了 Ga As光电阴极 Al Ga As/ Ga As外...
关键词：倒易点 二维图 热应力 半导体 透射式GAAS光电阴极 砷化镓 AlGaAs/GaAs外延层 镓铝砷化合物 晶格弯曲 X射线衍射 
透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层MOCVD过程中应变结构形成的研究
《光子学报》2002年第2期205-208,共4页李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵 
本文介绍了 Al Ga As/ Ga As外延层生长的应变状况的生长温度控制模型 ,并根据Al Ga As/ Ga As外延层 X射线衍射摇摆曲线的分析从实验上验证了 Al Ga As/ Ga
关键词：应变结构 晶格常量 透射式GAAS光电阴极 X射线衍射 AlGaAs/GaAs外延层 MOCVD 镓铝砷化合物 砷化镓 生长温度控制模型 
高功率线性梯度折射率GaAs/AlGaAs单量子阱激光器
《发光学报》2002年第1期90-92,共3页李忠辉 王玉霞 高欣 李梅 王玲 张兴德 
应用MOVPE研制出梯度折射率分别限制GaAs/AlGaAs单量子阱激光器 ,室温单面连续输出光功率超过 5 0 0mW ,激射波长为 82 0 3nm 。
关键词：梯度折射率 单量子阱激光器 砷化镓 GAAS/ALGAAS 输出功率 镓铝砷化合物 
MOVPE法生长AlGaAs过程中Al分配系数的动力学研究
《Journal of Semiconductors》2000年第2期137-141,共5页公延宁 莫金玑 余海生 夏冠群 
从固态组分控制方面，对ＡｌＧａＡｓ 的常压金属有机物气相外延（ＡＰ－ＭＯＶＰＥ）生长技术进行了研究．首先，在假定体系中所涉及气体为理想气体的前提下，经理论推导，给出了ＡｌＧａＡｓＡＰ－ＭＯＶＰＥ生长过程中控制参数和Ａ...
关键词：镓铝砷化合物 气相外延 分配系数 动力学 MOVPE 
GaAs/AlGaAs多量子阱结构材料的光致发光特性被引量：1
《山东大学学报（自然科学版）》1999年第1期53-57,共5页王卿璞 程兴奎 陈寿花 马洪磊 
采用ＭＯＣＶＤ技术制备了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构材料，对其进行了光致发光特性的测量，结果观察到５个发光峰，其波数分别为υ＝９６００ｃｍ－１，１２０２０ｃｍ－１，１２２４０ｃｍ－１，１２５５０ｃｍ－１和１３０...
关键词：多量子阱 光致发光 半导体 砷化镓 镓铝砷化合物 
研究与玻璃粘接的GaAs/GaAlAs外延层晶体质量的X射线衍射方法被引量：3
《Journal of Semiconductors》1999年第2期152-156,共5页米侃 赛小锋 侯洵 
本文应用高分辨率多重晶多次反射Ｘ射线衍射仪（Ｈｉｇｈ－ＲｅｓｏｌｕｔｉｏｎＭｕｌｔｉｐｌｅ－ＣｒｙｓｔａｌＭｕｌｔｉｐｌｅ－ＲｅｆｌｅｃｔｉｏｎＤｉｆｒａｃｔｏｍｅｔｅｒ，ＨＲＭＣＭＲＤ）研究了粘接后的ＧａＡｓ／Ｇａ...
关键词：砷化镓 化合物半导体 HRMCMRD 镓铝砷化合物 
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