GaAs/AlGaAs多量子阱结构材料的光致发光特性  

PHOTOLUMINESCENCE OF GaAs/AlGaAs MQW METERIAL GROWN BY MOCVD

作　　者：王卿璞[1] 程兴奎[2,3,4] 陈寿花 马洪磊[2,3,4] 

机构地区：[1]山东大学物理系 [2]山东大学光电所 [3]济南二轻中专 [4]济南半导体元件实验所

出　　处：《山东大学学报（自然科学版）》1999年第1期53-57,共5页Journal of Shandong University(Natural Science Edition)

摘　　要：采用ＭＯＣＶＤ技术制备了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构材料，对其进行了光致发光特性的测量，结果观察到５个发光峰，其波数分别为υ＝９６００ｃｍ－１，１２０２０ｃｍ－１，１２２４０ｃｍ－１，１２５５０ｃｍ－１和１３０７０ｃｍ－１。Photoluminescence of GaAs/AlGaAs MQW meterials grown by MOCVD was measured.Five luminescence peaks which are at 9 600 cm -1 ,12 020 cm -1 ,12 240 cm -1 ,12 550 cm -1 ,13 070 cm -1 ,respectively,have been observed.The positions for above five luminescence peaks are interpreted.

关 键 词：多量子阱 光致发光 半导体 砷化镓 镓铝砷化合物 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学] O472.3[理学—半导体物理]