陈寿花

作品数：2被引量：24H指数：1
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供职机构：山东大学物理学院更多>>
发文主题：氧化锌薄膜发光特性溅射法制备射频磁控溅射法射频磁控更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
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射频磁控溅射法制备ZnO薄膜的发光特性被引量：23
《发光学报》2003年第1期69-72,共4页王卿璞 张德恒 薛忠营 陈寿花 马洪磊 
国家自然科学基金 ( 6 0 0 76 0 0 6 ) ;教育部博士基金 ( 2 0 0 0 0 42 2 0 4)资助项目
利用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有 (0 0 2 )择优取向的氧化锌薄膜 ,用波长为 30 0nm的光激发 ,观察到在 44 6nm处有一强的光致发光峰 ,它来自于氧空位浅施主能级上的电子到价带上的跃迁。并讨论了发光峰与氧压的关系以及退火对...
关键词：射频磁控溅射法 制备 发光特性 ZNO薄膜 光致发光 氧化锌薄膜 
GaAs/AlGaAs多量子阱结构材料的光致发光特性被引量：1
《山东大学学报（自然科学版）》1999年第1期53-57,共5页王卿璞 程兴奎 陈寿花 马洪磊 
采用ＭＯＣＶＤ技术制备了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构材料，对其进行了光致发光特性的测量，结果观察到５个发光峰，其波数分别为υ＝９６００ｃｍ－１，１２０２０ｃｍ－１，１２２４０ｃｍ－１，１２５５０ｃｍ－１和１３０...
关键词：多量子阱 光致发光 半导体 砷化镓 镓铝砷化合物 
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