李晓峰

作品数：10被引量：25H指数：3
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供职机构：中国科学院西安光学精密机械研究所更多>>
发文主题：透射式GAAS光电阴极光电阴极砷化镓X射线衍射镓铝砷化合物更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程更多>>
发文期刊：《光子学报》更多>>
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透射式GaAs光电阴极组件在真空烘烤后表面氧化的XPS分析被引量：2
《光子学报》2002年第6期778-780,共3页李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵 
介绍了 Ga As光电阴极在高温烘烤后不同深度上 Ga原子和 As原子氧化的 XPS分析结果 ,并对 Ga As中的 Ga原子比 As原子更容易氧化以及 Ga As光电阴极在经过高温烘烤后 。
关键词：透射式GAAS光电阴极 组件 表面氧化 XPS分析 真空 砷化镓 高温烘烤 
透射式GaAs光电阴极AlGaAs窗层Al组份的X射线衍射分析被引量：1
《光子学报》2002年第4期454-457,共4页李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵 
研究了 Al Ga As窗层中 Al组份的 X射线衍射分析原理和计算方法 。
关键词：GaAs ALGAAS 光电阴极 晶格常量 X线射衍射 砷化镓 镓铝砷化合物 
透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层X射线衍射摇摆曲线研究
《光子学报》2002年第4期458-462,共5页李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵 
利用透射式 Ga As光电阴极 Al Ga As/ Ga As外延层的结构特点及其 X射线衍射摇摆曲线分析方法 ,解释了 Al Ga As/ Ga
关键词：GaAs ALGAAS X射线衍射 光电阴极 外延层 结构特点 砷化镓 镓铝砷化合物 摇摆曲线 
透射式GaAs光电阴极AlGaAs窗层和GaAs光电发射层界面应变状况的X射线衍射研究
《光子学报》2002年第3期308-311,共4页李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵 
本文介绍了应变和弛豫的概念以及倒易点在倒易空间的分布 ,阐明了 Ga As光电阴极 Al Ga As窗层和 Ga As光电发射层界面应变状况的 X射线衍射的分析方法 ,最后给出了实例 .
关键词：GAAS/ALGAAS GaAs光电发射层 X射线衍射 驰豫 光电阴极 AlGaAs窗层 应变 砷化镓 铝镓砷化合物 
透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层倒易点二维图分析被引量：4
《光子学报》2002年第3期312-316,共5页李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵 
本文介绍了摇摆曲线和倒易点二维图在评价晶格完整性时的特点 ,分析了透射式Ga As光电阴极样品 Al Ga As/Ga As外延层的倒易点二维图 ,获得了晶面弯曲以及Al Ga As外延层中 Al组份变化等方面的信息 ,为优化外延工艺提供了可靠的保证 .
关键词：ALGAAS/GAAS X射线衍射 光电阴极 倒易点二维图 砷化镓 透射式GAAS光电阴极 外延层 镓铝砷化合物 
透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层在热应力作用下晶格弯曲的倒易点二维图研究被引量：1
《光子学报》2002年第2期200-204,共5页李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵 
本文介绍了倒易点及其倒易点二维图的概念、倒易点形状及其倒易点二维图同晶格形变的关系 ,推导了热应力作用下双层膜发生弯曲的理论公式 ,阐明了晶格弯曲的原因和晶格倒易点二维图展宽的方向 ,分析了 Ga As光电阴极 Al Ga As/ Ga As外...
关键词：倒易点 二维图 热应力 半导体 透射式GAAS光电阴极 砷化镓 AlGaAs/GaAs外延层 镓铝砷化合物 晶格弯曲 X射线衍射 
透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层MOCVD过程中应变结构形成的研究
《光子学报》2002年第2期205-208,共4页李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵 
本文介绍了 Al Ga As/ Ga As外延层生长的应变状况的生长温度控制模型 ,并根据Al Ga As/ Ga As外延层 X射线衍射摇摆曲线的分析从实验上验证了 Al Ga As/ Ga
关键词：应变结构 晶格常量 透射式GAAS光电阴极 X射线衍射 AlGaAs/GaAs外延层 MOCVD 镓铝砷化合物 砷化镓 生长温度控制模型 
透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层内应力的种类及其表征与测量被引量：6
《光子学报》2002年第1期88-92,共5页李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵 
本文介绍了透射式 Ga As光电阴极 Al Ga As窗层和 Ga As光电发射外延层内应力的种类及其表征方法和测量方法 。
关键词：GAAS/ALGAAS 光电阴极 X射线衍射 应力 外延 测量方法 表征方法 砷化镓 铝砷镓化合物 半导体 
透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层X射线衍射摇摆曲线半峰宽研究被引量：3
《光子学报》2002年第1期93-97,共5页李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵 
本文研究了晶体 X射线摇摆曲线半峰宽同其晶格完整性之间的关系 ,外延层之间
关键词：ALGAAS/GAAS X射线衍射 应力 光电阴极 砷化镓 铝镓砷化合物 摇摆曲线半峰宽 外延层 半导体 
三代管MCP离子阻挡膜研究被引量：11
《光子学报》2001年第12期1496-1499,共4页李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵 
三代管中 Ga As光电阴极的表面 Cs- O层经不住正离子的轰击 ,但在 MCP的通道内 ,由于二次电子倍增 ,在 MCP通道的输出端 ,电子密度较大 ,所以 MCP通道内的残余气体分子就会被电离 ,正离子在电场的作用下向阴极方向运动 ,最终轰击阴极的...
关键词：GaAs MCP 光电阴极 离子阻挡膜 三代管 砷化镓 电子透射 AL2O3 三氧化二铝 
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