透射式GaAs光电阴极组件在真空烘烤后表面氧化的XPS分析  

SURFACE XPS ANALYSIS OF TRANSPARENT GaAs PHOTOCATHODE OXIDIZED IN VACCUM BAKING

作　　者：李晓峰[1] 张景文[1] 高鸿楷[1] 侯洵[1] 

机构地区：[1]中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室,西安710068

出　　处：《光子学报》2002年第6期778-780,共3页Acta Photonica Sinica

摘　　要：介绍了 Ga As光电阴极在高温烘烤后不同深度上 Ga原子和 As原子氧化的 XPS分析结果 ,并对 Ga As中的 Ga原子比 As原子更容易氧化以及 Ga As光电阴极在经过高温烘烤后 。It described the surface XPS analysis results of GaAs photocathode baked in the temperature of 400℃ and in the vaccum degree of 666.612×10 -6 Pa,explained the phenomenon that Ga atom in GaAs is oxidized more easily than As atom.It also discussed the effection of oxidization on sensitivity of GaAs photocathode

关 键 词：透射式GAAS光电阴极 组件 表面氧化 XPS分析 真空 砷化镓 高温烘烤 

分 类 号：TN103[电子电信—物理电子学]