透射式GaAs光电阴极AlGaAs窗层Al组份的X射线衍射分析  

X-RAY DIFFRACTION ANALYSIS ON THE Al CONTENT OF THE AlGaAs BUFFER LAYER IN THE TRANSPARENT GaAs PHOTOCATHODE

作　　者：李晓峰[1] 张景文[1] 高鸿楷[1] 侯洵[1] 

机构地区：[1]中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室,西安710068

出　　处：《光子学报》2002年第4期454-457,共4页Acta Photonica Sinica

摘　　要：研究了 Al Ga As窗层中 Al组份的 X射线衍射分析原理和计算方法 。It described the analysing principle of Al content on AlGaAs buffer layer and gave the calculation formulae corresponding to their strain situations.Besides,some calculation examples were given.

关 键 词：GaAs ALGAAS 光电阴极 晶格常量 X线射衍射 砷化镓 镓铝砷化合物 

分 类 号：TN103[电子电信—物理电子学] O462.3[理学—电子物理学]