透射式GaAs光电阴极AlGaAs窗层和GaAs光电发射层界面应变状况的X射线衍射研究  

THE X-RAY DIFFRACTION STUDY ON THE INTERFACE OF AlGaAs BUFFER LAYER AND GaAs ACTIVE LAYER OF THE TRANSPARENT GaAs PHOTOCATHODE

作　　者：李晓峰[1] 张景文[1] 高鸿楷[1] 侯洵[1] 

机构地区：[1]中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室,西安710068

出　　处：《光子学报》2002年第3期308-311,共4页Acta Photonica Sinica

摘　　要：本文介绍了应变和弛豫的概念以及倒易点在倒易空间的分布 ,阐明了 Ga As光电阴极 Al Ga As窗层和 Ga As光电发射层界面应变状况的 X射线衍射的分析方法 ,最后给出了实例 .In this paper,the concepts of strain and relax are described,the location distribution of reciprocal lattice point in reciprocal space was discussed,and the analysis method of strain and relax by X-ray diffraction was elaborated.Besides some detail examples are given.

关 键 词：GAAS/ALGAAS GaAs光电发射层 X射线衍射 驰豫 光电阴极 AlGaAs窗层 应变 砷化镓 铝镓砷化合物 

分 类 号：TN103[电子电信—物理电子学] O462[理学—电子物理学]