公延宁

作品数：4被引量：9H指数：2
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供职机构：中国科学院广州能源研究所更多>>
发文主题：颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池砷化镓MOVPEALGAAS更多>>
发文领域：电气工程电子电信更多>>
发文期刊：《功能材料与器件学报》《Journal of Semiconductors》《太阳能学报》更多>>
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MOVPE法生长AlGaAs过程中Al分配系数的动力学研究
《Journal of Semiconductors》2000年第2期137-141,共5页公延宁 莫金玑 余海生 夏冠群 
从固态组分控制方面，对ＡｌＧａＡｓ 的常压金属有机物气相外延（ＡＰ－ＭＯＶＰＥ）生长技术进行了研究．首先，在假定体系中所涉及气体为理想气体的前提下，经理论推导，给出了ＡｌＧａＡｓＡＰ－ＭＯＶＰＥ生长过程中控制参数和Ａ...
关键词：镓铝砷化合物 气相外延 分配系数 动力学 MOVPE 
GaAs太阳电池帽层腐蚀研究──GaAs/AlGaAs薄膜体系的选择性腐蚀被引量：2
《太阳能学报》1999年第2期109-115,共7页公延宁 汪乐 莫金玑 夏冠群 
由ｐ＋－ＧａＡｓ帽层和ｐ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ（ｘ＝０·８—０．９）窗口层构成的异质薄膜体系是ＧａＡｓ太阳电池器件中的常规结构。对该异质结构的只腐蚀ＧａＡｓ而不腐蚀ＡｌＧａＡｓ的选择性腐蚀工艺是ＧａＡｓ太阳电池制备过...
关键词：太阳电池 帽层 窗口层 选择性腐蚀 砷化镓 薄膜 
GaAs和AlGaAs掺碳MOVPE生长技术进展
《功能材料与器件学报》1998年第3期145-155,共11页公延宁 莫金玑 夏冠群 
Ｃ作为ＩＩ－Ｖ族半导体中常用的ｐ型掺杂剂，由于它的掺杂浓度极限高和扩散系数低，逐渐引起人们的关注，并在许多应用中显示出潜力而有望代替常规的ｐ型掺杂剂，如Ｚｎ和Ｂｅ。根据近期研究成果，对采用ＭＯＶＰＥ技术生长的掺ＣＧａ...
关键词：半导体 MOVPE 砷化镓 薄膜 掺碳 
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