莫金玑

作品数:6被引量:3H指数:1
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供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题:砷化镓GAAS太阳电池太阳电池MOVPEALGAAS更多>>
发文领域:电子电信电气工程更多>>
发文期刊:《太阳能学报》《稀有金属》《功能材料与器件学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
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MOVPE法生长AlGaAs过程中Al分配系数的动力学研究
《Journal of Semiconductors》2000年第2期137-141,共5页公延宁 莫金玑 余海生 夏冠群 
从固态组分控制方面,对AlGaAs 的常压金属有机物气相外延(AP-MOVPE)生长技术进行了研究.首先,在假定体系中所涉及气体为理想气体的前提下,经理论推导,给出了AlGaAsAP-MOVPE生长过程中控制参数和A...
关键词:镓铝砷化合物 气相外延 分配系数 动力学 MOVPE 
GaAs太阳电池帽层腐蚀研究──GaAs/AlGaAs薄膜体系的选择性腐蚀被引量:2
《太阳能学报》1999年第2期109-115,共7页公延宁 汪乐 莫金玑 夏冠群 
由p+-GaAs帽层和p-AlxGa1-xAs(x=0·8—0.9)窗口层构成的异质薄膜体系是GaAs太阳电池器件中的常规结构。对该异质结构的只腐蚀GaAs而不腐蚀AlGaAs的选择性腐蚀工艺是GaAs太阳电池制备过...
关键词:太阳电池 帽层 窗口层 选择性腐蚀 砷化镓 薄膜 
MOCVD GaAs太阳电池的结特性
《Journal of Semiconductors》1999年第1期72-78,共7页施小忠 夏冠群 汪乐 莫金玑 
本文用拟合的方法求得了太阳电池的结特性参数.结果表明MOCVD太阳电池的效率随电池外延n型层厚度的增大而增大.暗电流随电池外延n型层厚度的增大而减小.MOCVD电池承受反向电流的冲击的能力随电池外延n型层厚度的增大而...
关键词:太阳电池 MOCVD法 砷化镓 
GaAs和AlGaAs掺碳MOVPE生长技术进展
《功能材料与器件学报》1998年第3期145-155,共11页公延宁 莫金玑 夏冠群 
C作为II-V族半导体中常用的p型掺杂剂,由于它的掺杂浓度极限高和扩散系数低,逐渐引起人们的关注,并在许多应用中显示出潜力而有望代替常规的p型掺杂剂,如Zn和Be。根据近期研究成果,对采用MOVPE技术生长的掺CGa...
关键词:半导体 MOVPE 砷化镓 薄膜 掺碳 
高速电子器件MOCVD材料的研究动态
《稀有金属》1994年第3期225-230,共6页莫金玑 
阐述了MESFET、HEMT和HBT等高速电子器件的MOCVD材料的研制现状,对可能存在的问题进行了讨论。同时介绍了硅上异质外延GaAs的新工艺及其在高速电子器件中的应用前景。
关键词:高速电子器件 MOCVD材料 研究 
三氯氢硅歧化的研究被引量:1
《稀有金属》1992年第4期315-316,共2页莫金玑 管丽民 汪光裕 
目前,SiH_2Cl_2作为优质源材料在外延工艺中的应用日益广泛,可用于沉积多晶硅、无定形硅和氮化硅等,是研制集成电路的一种重要材料。很多研究工作者论述了以含氮原子功能团的非可溶性固体催化剂进行SiHCl_3岐化制取SiH_2Cl_2工艺。本文...
关键词:三氯氢硅 歧化反应 
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