MOCVD GaAs太阳电池的结特性  

Junction Characteristics of MOCVD and LPE GaAs Solar Cells

作　　者：施小忠[1] 夏冠群[1] 汪乐[1] 莫金玑[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所半导体材料和器件研究室

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第1期72-78,共7页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文用拟合的方法求得了太阳电池的结特性参数．结果表明ＭＯＣＶＤ太阳电池的效率随电池外延ｎ型层厚度的增大而增大．暗电流随电池外延ｎ型层厚度的增大而减小．ＭＯＣＶＤ电池承受反向电流的冲击的能力随电池外延ｎ型层厚度的增大而增强．ＭＯＣＶＤ电池比ＬＰＥ电池所能承受的反向电流密度大．Abstract The parameters of GaAs solar cells are obtained by curve fitting. The results suggest that as the thickness of the n GaAs epitaxial layer increases, the efficiency of the solar cell increases, the dark current decreases, and the ability in loading reverse current improves. MOCVD solar cells allow higher reverse current density through the pn junction than the LPE solar cells.

关 键 词：太阳电池 MOCVD法 砷化镓 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TM914.403[电气工程—电力电子与电力传动]