汪乐

作品数：11被引量：13H指数：2
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供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：太阳电池超导薄膜GAAS太阳电池离子束溅射砷化镓更多>>
发文领域：电气工程电子电信理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《科学通报》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《低温物理学报》更多>>
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太阳电池栅线的设计被引量：4
《电子学报》1999年第11期126-127,119,共3页施小忠 汪乐 夏冠群 
本文分析了主线上的电压降对电池栅线设计的影响.讨论了电池的功率损耗与电池栅线尺寸及厚度的关系。
关键词：太阳电池 栅线设计 功率损耗 
GaAs太阳电池帽层腐蚀研究──GaAs/AlGaAs薄膜体系的选择性腐蚀被引量：2
《太阳能学报》1999年第2期109-115,共7页公延宁 汪乐 莫金玑 夏冠群 
由ｐ＋－ＧａＡｓ帽层和ｐ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ（ｘ＝０·８—０．９）窗口层构成的异质薄膜体系是ＧａＡｓ太阳电池器件中的常规结构。对该异质结构的只腐蚀ＧａＡｓ而不腐蚀ＡｌＧａＡｓ的选择性腐蚀工艺是ＧａＡｓ太阳电池制备过...
关键词：太阳电池 帽层 窗口层 选择性腐蚀 砷化镓 薄膜 
局部旁路漏电对太阳电池结特性的影响被引量：2
《太阳能学报》1999年第2期209-215,共7页施小忠 汪乐 夏冠群 
分析了太阳电池局部漏电现象。
关键词：太阳电池 旁路漏电 结特性 等效电路 效率下降 
MOCVD GaAs太阳电池的结特性
《Journal of Semiconductors》1999年第1期72-78,共7页施小忠 夏冠群 汪乐 莫金玑 
本文用拟合的方法求得了太阳电池的结特性参数．结果表明ＭＯＣＶＤ太阳电池的效率随电池外延ｎ型层厚度的增大而增大．暗电流随电池外延ｎ型层厚度的增大而减小．ＭＯＣＶＤ电池承受反向电流的冲击的能力随电池外延ｎ型层厚度的增大而...
关键词：太阳电池 MOCVD法 砷化镓 
GaAs太阳电池的体电阻及旁路漏电对电池结特性的影响
《固体电子学研究与进展》1998年第4期392-398,共7页施小忠 夏冠群 汪乐 
复合电流是液相外延GaAs太阳电池暗电流的主要成分。扫描电镜观察表明,旁路电流主要来源于太阳电池结区的杂质。串联电阻主要来源于电池p型GaAs层的薄层电阻及正面电极的体电阻。串联电阻降低了电池的短路电流,旁路电阻降低了电池的开...
关键词：太阳电池 结特性 体电阻 旁路漏电 砷化钾 
MBE-GaAs/Si材料应变层的调制光谱研究
《Journal of Semiconductors》1993年第3期133-138,共6页胡雨生 胡福义 汪乐 李爱珍 范伟栋 
"七五"国家重点科学基金
本文采用光调制反射光谱(PR),双晶衍射(DCRD),光荧光激发光谱(PL)等技术研究了MBE-GaAs/Si异质结材料GaAs层的应变情况,以及从不同温度快速热退火后GaAs/Si(PR)谱的变化可看出GaAs外延层应变随退火温度增大而增大,GaAs能隙则随之下降,...
关键词：GAAS/SI材料 分子束外延 调制光谱 
半熔融烧结靶直流磁控溅射外延生长YBCO超导薄膜被引量：1
《低温物理学报》1992年第1期31-35,共5页任琮欣 陈国樑 李贻杰 陈建民 杨絜 张骥华 陈业新 陈正秀 汪乐 邹世昌 
国家超导中心;中国科学院超导办公室的资助
直流磁控溅射使用半熔融大直径平面烧结靶,在(100)SrTiO_3衬底上原位生长 YBa_2Cu_3·O_(7-δ)超导薄膜,可以很方便地和重复地获得临界电流密度高(J_c=3.4×10~6A/cm^2在77KB=0时)、微波表面电阻 R_s 较低(在77K,50.9GHz 时,R_s≤37mΩ...
关键词：超导 薄膜 磁控 溅射沉积 YBCO 
离子束溅射沉积制备高J_cYBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜被引量：1
《低温物理学报》1991年第1期30-34,共5页陈国樑 任琮欣 陈建民 杨絜 李贻杰 陈正秀 汪乐 谢雷鸣 邹世昌 
国家超导研究发展中心资助;中国科学院的资助
本文报道应用离子束溅射沉积制备高 T_c 高 J_c YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜.较详细地考察了影响薄膜组份比和晶粒取向的主要因素.实验表明采用本文提出的组合溅射靶可方便而又精确地调节薄膜 Y、Ba、Cu 组份比.详细描述了获得高度取向...
关键词：离子束溅射 沉积 高Jc 超导薄膜 
电子辐照N型LPE-GaAs层中复合中心能级的研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1990年第12期889-895,共7页胡雨生 汪乐 陈正秀 
本文用深能级瞬态谱(DLTS)法,结合表面光伏(SPV)法和某些常规测试,较系统地研究了1MeV能量和不同剂量的电子辐照下对N型LPE-GaAs层逐次引入的缺陷。研究了400～550K温区等时退火行为。讨论了随辐照剂量逐次增大及等时退火后,缺陷浓度N_...
关键词：GAAS 电子辐照 复合中心 能级 
退火条件对Y-Ba-Cu-O薄膜超导性能的影响
《无机材料学报》1990年第3期283-287,共5页郑彦 任琮欣 陈国梁 陈建民 杨洁 汪乐 陈正秀 柳襄怀 谢雷鸣 邹世昌 
用XRD、XIFS及SEM等对比分析了不同退火温度或退火时间下Y-Ba-Cu-O薄膜的相结构、成份比及微结构等的变化。发现在860℃/1h的退火条件下,薄膜已形成了较为完全的超导相,而940℃/1h的退火条件将使薄膜失去超导性。当退火温度升到900℃以...
关键词：超导薄膜 退火条件 超导性能 钇 钡 
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