高速电子器件MOCVD材料的研究动态  

作　　者：莫金玑[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所

出　　处：《稀有金属》1994年第3期225-230,共6页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：阐述了ＭＥＳＦＥＴ、ＨＥＭＴ和ＨＢＴ等高速电子器件的ＭＯＣＶＤ材料的研制现状，对可能存在的问题进行了讨论。同时介绍了硅上异质外延ＧａＡｓ的新工艺及其在高速电子器件中的应用前景。

关 键 词：高速电子器件 MOCVD材料 研究 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]