汪光裕

作品数:6被引量:4H指数:1
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供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题:砷化镓深能级缺陷本性点缺陷GA更多>>
发文领域:电子电信理学更多>>
发文期刊:《物理学进展》《电子学报》《应用科学学报》《稀有金属》更多>>
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半导体材料中深能级缺陷本性探索——EL2缺陷的邹氏模型被引量:1
《科学》1993年第2期41-44,共4页汪光裕 
深能级及 EL2缺陷研究现状半导体材料中的深能级是由晶体内部的强局域不完整性所引起。在化合物半导体中,人们对于晶体中的本征点缺陷(如空位、反位、间隙原子及其络合物)引起的深能级非常重视,因为它们在晶体生长过程中容易生成,并且...
关键词:深能级 点缺陷 半导体材料 
三氯氢硅歧化的研究被引量:1
《稀有金属》1992年第4期315-316,共2页莫金玑 管丽民 汪光裕 
目前,SiH_2Cl_2作为优质源材料在外延工艺中的应用日益广泛,可用于沉积多晶硅、无定形硅和氮化硅等,是研制集成电路的一种重要材料。很多研究工作者论述了以含氮原子功能团的非可溶性固体催化剂进行SiHCl_3岐化制取SiH_2Cl_2工艺。本文...
关键词:三氯氢硅 歧化反应 
砷化镓材料中EL2缺陷的“邹氏模型”——纪念邹元爔先生逝世三周年
《应用科学学报》1990年第2期95-102,共8页汪光裕 
本文介绍邹元爔先生及其学生们应用物理化学方法在鉴别砷化镓中最主要深能级EL2缺陷本性方面的主要学术思想和研究成果,企图说明这种研究方法可弥补单纯应用物理方法的一些不足,并以此纪念邹先生对半导体物理化学学科方面的开拓性贡献.
关键词:砷化镓 EL2缺陷 邹氏模型 半导体 
砷化镓材料中EPR“As_(Ga)”的退火行为
《Journal of Semiconductors》1990年第3期221-226,共6页汪光裕 邹元燨 S.Benakki E.Christoffel A.Goltzene B.Meyer C.Schwab 
本文比较了中子辐照。压缩变形和原生LEC砷化镓等三种不同来源样品的EPR“As_(Ga)”的Hamiltonian参数。并系统地研究了EPR“As_(Ga)”的浓度和低温光猝灭行为随退火温度的变化,从而进一步验证了EPR“As_(Ga)”的本性,即除孤立As_(Ga)...
关键词:砷化镓 电子顺磁共振 退火 点缺陷 
GaAs材料中EPR“As_(Ga)”缺陷的本性
《电子学报》1989年第1期68-72,共5页汪光裕 冯平义 邹元爔 曾繁安 
本文根据EPR基本理论和量子化学的一些计算结果,并对照中子辐照GaAs样品中EPR“As_(Ga)”谱线形状随退火温度变化的实验结果,认为为了揭示EPR“As_(Ga)”缺陷本性必须考虑包括As_(Ga)周围多层配位原子在内的基体磁性核对于未成对电子的...
关键词:GAAS ASGA EPR 缺陷 
用物理化学方法鉴别砷化镓中最主要深能级EL2的本性被引量:2
《物理学进展》1988年第4期432-463,共32页邹元爔 汪光裕 莫培根 
本文应用半导体物理化学方法(借助某些物理测试手段)研究GaAs材料中最主要深施主能级EL2映陷的形成及其转化的一些规律。首先归纳了鉴别EL2本性的三个重要依据(化学计量比、与位错关系和低温光猝灭行为),然后着重阐述三元络合物A_(SGa)V...
关键词:As 位错 能级 晶体缺陷 深能级缺陷 EL2 晶体生长 缺陷化学 化学计量比 物理化学方法 激发态 亚稳态 EPR 砷化物 砷化镓 电工材料 半导体材料 三元络合物 光猝灭 
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