曾繁安

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GaAs材料中EPR“As_(Ga)”缺陷的本性
《电子学报》1989年第1期68-72,共5页汪光裕 冯平义 邹元爔 曾繁安 
本文根据EPR基本理论和量子化学的一些计算结果,并对照中子辐照GaAs样品中EPR“As_(Ga)”谱线形状随退火温度变化的实验结果,认为为了揭示EPR“As_(Ga)”缺陷本性必须考虑包括As_(Ga)周围多层配位原子在内的基体磁性核对于未成对电子的...
关键词：GAAS ASGA EPR 缺陷 
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