砷化镓材料中EL2缺陷的“邹氏模型”——纪念邹元爔先生逝世三周年  

ZOU MODEL" OF EL2 DEFECT IN GaAs--in memory of Prof. Zou Yuanxi

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作  者:汪光裕[1] 

机构地区:[1]中国科学院上海冶金研究所

出  处:《应用科学学报》1990年第2期95-102,共8页Journal of Applied Sciences

摘  要:本文介绍邹元爔先生及其学生们应用物理化学方法在鉴别砷化镓中最主要深能级EL2缺陷本性方面的主要学术思想和研究成果,企图说明这种研究方法可弥补单纯应用物理方法的一些不足,并以此纪念邹先生对半导体物理化学学科方面的开拓性贡献.Prof. Zou Yuanxi had explored the nature of some native derects in compound semiconductors by means of physicoohemioal method over 20 years. We sincerely introduce his science ideas and profound fruits in the identification of EL2 (the most important deep level in GaAs) in this paper,and express to cherish our deep memory of him.

关 键 词:砷化镓 EL2缺陷 邹氏模型 半导体 

分 类 号:TN304.23[电子电信—物理电子学]

 

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