半导体材料中深能级缺陷本性探索——EL2缺陷的邹氏模型  

作　　者：汪光裕[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所

出　　处：《科学》1993年第2期41-44,共4页Science

摘　　要：深能级及 EL2缺陷研究现状半导体材料中的深能级是由晶体内部的强局域不完整性所引起。在化合物半导体中,人们对于晶体中的本征点缺陷(如空位、反位、间隙原子及其络合物)引起的深能级非常重视,因为它们在晶体生长过程中容易生成,并且能直接影响材料的电学性质(如载流子浓度、补偿度、迁移率和寿命)和光学性质(如发光或吸收)等。因此,研究它们的本性、产生条件以及相互转化的规律,具有十分重要的现实意义。人们在砷化镓(GaAs)材料生产和研究过程中,发现不同方法生长的材料中几乎都存在着一个深施主能级。它具有从未见于其他缺陷的许多异常性质,且对大规模集成电路等器件性能起着决定性的影响。由于它的普遍性、异常性和实用性。

关 键 词：深能级 点缺陷 半导体材料 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]