莫培根

作品数：5被引量：4H指数：1
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供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：GAAS单晶半绝缘单晶砷化镓衬底材料更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《稀有金属》《物理学进展》《功能材料与器件学报》《固体电子学研究与进展》更多>>
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非掺半绝缘GaAs单晶的垂直梯度凝固生长被引量：1
《功能材料与器件学报》2000年第2期125-128,共4页赵福川 谈惠祖 杜立新 莫培根 
研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法(VGF)生长技术,解决了Si沾污和C浓度的控制问题,得到了直径2英寸非掺半绝缘低位错单晶。测试表明:该单晶的位错密度较LEC单晶下降近一个数量级,电学参数与LEC单晶类似,接近国外VGF单晶的...
关键词：垂直凝固 晶体生长 非掺半绝缘砷化镓单晶 
高温退火时化学计量比偏离对GaAs晶体气固相平衡的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》1999年第7期562-568,共7页赵福川 夏冠群 杜立新 谈惠祖 莫培根 
本文利用Ｗｅｎｚｌ的ＧａＡｓ缺陷模型研究了在Ｔ＝１１５０℃时，Ｇａ１－ｘＡｓｘ固溶体化学计量比偏离度（Ｓ＝１－２ｘ）对ＧａＡｓ晶体气固相平衡的影响．计算表明平衡Ａｓ压在晶体富Ａｓ情况下（即Ｓ＜０）随Ｓ的减小，迅速增加...
关键词：砷化镓 高温退火 气固相平衡 
改进的低压LEC法生长半绝缘GaAs单晶
《固体电子学研究与进展》1990年第1期94-100,共7页莫培根 范向群 周炎德 吴巨 
本文提出了改进的低压LEC/PBN法获得稳定的熔体化学计量比的条件,研究了晶体的电学性质、位错密度、C含量及EL2浓度等特性,并考察了高温热处理对晶体特性的影响.
关键词：GAAS单晶 LEC法 低压 生长 
半绝缘GaAs单晶中的微沉淀
《稀有金属》1989年第1期50-53,共4页莫培根 朱健 吴巨 
利用 JEM-200CX 透射电子显微镜观察了原生未掺杂及掺铟的半绝缘 GaAs 单晶中的微沉淀相,发现含位错的晶体中均有 GaAs 的微多晶粒沉淀相,大小在5～100nm 不等。根据 EDXA 分析,这些微多晶粒是富砷的 GaAs,富砷的程度掺铟的比未掺的严...
关键词：GAAS 单晶 沉淀 绝缘 相变 
用物理化学方法鉴别砷化镓中最主要深能级EL2的本性被引量：2
《物理学进展》1988年第4期432-463,共32页邹元爔 汪光裕 莫培根 
本文应用半导体物理化学方法(借助某些物理测试手段)研究GaAs材料中最主要深施主能级EL2映陷的形成及其转化的一些规律。首先归纳了鉴别EL2本性的三个重要依据(化学计量比、与位错关系和低温光猝灭行为),然后着重阐述三元络合物A_(SGa)V...
关键词：As 位错 能级 晶体缺陷 深能级缺陷 EL2 晶体生长 缺陷化学 化学计量比 物理化学方法 激发态 亚稳态 EPR 砷化物 砷化镓 电工材料 半导体材料 三元络合物 光猝灭 
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