周炎德

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供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：LEC法生长LEC法GAAS单晶半绝缘低压更多>>
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改进的低压LEC法生长半绝缘GaAs单晶
《固体电子学研究与进展》1990年第1期94-100,共7页莫培根 范向群 周炎德 吴巨 
本文提出了改进的低压LEC/PBN法获得稳定的熔体化学计量比的条件,研究了晶体的电学性质、位错密度、C含量及EL2浓度等特性,并考察了高温热处理对晶体特性的影响.
关键词：GAAS单晶 LEC法 低压 生长 
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