GAAS单晶

作品数：57被引量：47H指数：4
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相关作者：苏小平涂凡张峰燚丁国强王思爱更多>>
相关机构：中国科学院北京有色金属研究总院南京电子器件研究所中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关期刊：《半导体杂志》《新材料产业》《电子质量》《红外与激光工程》更多>>
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红外LED用GaAs单晶的垂直梯度凝固制备研究被引量：1
《人工晶体学报》2023年第2期235-243,共9页路淑娟 陈蓓曦 张路 曹波 张云博 马志永 齐兴旺 于洪国 
河北省科技计划(19011111Z)。
GaAs单晶是当前光电子器件的主要衬底材料之一,在红外LED中有着重要应用。但杂质浓度高、迁移率低等缺点会严重影响红外LED器件性能。为生产出低杂质浓度、高迁移率、载流子分布均匀、高利用率的红外LED用掺硅垂直梯度凝固(VGF)法GaAs单...
关键词：砷化镓 垂直梯度凝固 位错密度 载流子 迁移率 热场 炉膛 
6英寸半绝缘GaAs单晶VGF和VB联合生长技术
《半导体技术》2020年第5期383-389,共7页周春锋 兰天平 边义午 曹志颖 罗惠英 
为了生长6英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘GaAs单晶,采用水平梯度凝固(HGF)法合成GaAs多晶。将装有籽晶、GaAs多晶、氧化硼和碳粉的热解氮化硼(PBN)坩埚装入石英管内并抽真空后密封。然后将石英管装入单晶炉内,升温熔化多晶并熔接籽晶后,采...
关键词：GAAS 半绝缘单晶 单晶生长 垂直梯度凝固(VGF)法 垂直布里奇曼(VB)法 
VGF法半绝缘GaAs单晶EL2浓度优化研究
《人工晶体学报》2020年第3期412-416,共5页兰天平 边义午 周春锋 宋禹 
国防科工局进口替代专项。
为了获得高电阻率及迁移率的半绝缘GaAs单晶材料,采用经高压及水平合成不同工艺制得的GaAs多晶料,进行垂直梯度凝固(VGF)法半绝缘GaAs单晶生长,测试和分析相应单晶片的EL2浓度、C浓度及电阻率、迁移率等性能参数,对比和分析了GaAs化学...
关键词：砷化镓 垂直梯度凝固法 半绝缘 晶体生长 EL2 
低速^(84)Kr^(15+,17+)离子轰击GaAs单晶
《物理学报》2014年第5期124-129,共6页杨变 杨治虎 徐秋梅 郭义盼 武晔虹 宋张勇 蔡晓红 
国家自然科学基金(批准号:11174296);国家重点基础研究发展973计划(批准号:2010CB832901)资助的课题~~
用345 keV的Kr15+和340 keV的Kr17+离子以45fi角入射n型GaAs单晶(100)面,测量了表面形貌的变化和发射的375—500 nm Ga I和Kr II的特征光谱线.Krq+(q=15,17)离子轰击后表面形貌的变化主要取决于入射离子的电荷态q.离子沉积到靶表面的能...
关键词：表面形貌 光谱 高激发态 
数字模拟法研究坩埚锥角对VGF法GaAs单晶生长的影响被引量：4
《稀有金属》2011年第4期525-530,共6页王思爱 苏小平 张峰燚 丁国强 涂凡 
国家“863”高技术研究项目(2002AAF3102)资助
坩埚锥角是诱发VGF法GaAs单晶出现孪晶与多晶的重要因素之一,应用数值模拟的方法对其进行了研究与探讨,研究发现,在晶体生长的放肩阶段,坩埚锥角为60°,90°,120°3种情况下,晶体生长的固液界面均凹向熔体,随坩埚锥角α的增大,接触角θ...
关键词：坩埚锥角 GAAS单晶 数字模拟 
VGF法生长4英寸GaAs单晶固液界面形状和热应力的数值模拟研究被引量：6
《稀有金属》2011年第3期388-393,共6页涂凡 苏小平 张峰燚 黎建明 丁国强 王思爱 
国家863项目(2002AAF3102)资助
采用专业晶体生长数值模拟软件C rysMas,模拟了垂直梯度凝固法(VGF)生长4英寸GaAs单晶过程中的固液界面形状,发现晶体在生长过程中固液界面形状经历了由凹到凸的变化。数值模拟结果表明熔体中和晶体中的轴向温度梯度之比小于0.4时,固液...
关键词：数值模拟 垂直梯度凝固技术 GAAS 固液界面 热应力 
VGF法生长6英寸GaAs单晶生长速率的优化被引量：3
《稀有金属》2011年第1期42-46,共5页丁国强 屠海令 苏小平 张峰燚 涂凡 王思爱 
国家"863"高技术研究项目(2002AAF3102)资助
晶体的生长速率关系着晶体质量和生产效率,保证晶体质量的同时,实现较高的生产效率是晶体生长速率优化的主要目标。VGF技术生长晶体时,晶体的生长速率主要取决于控温点的温度及降温速率。在保持加热器控温点不变的情况下,利用数值模拟...
关键词：砷化镓 生长速率 数值模拟 垂直梯度凝固 
空间高效太阳能电池用高性能锗单晶研制被引量：1
《中国科技成果》2010年第8期51-51,55,共2页杨海 苏小平 冯德伸 
美国、俄罗斯、中国、印度、日本、欧洲等国家都投入大量的资源发展空间技术。目前，空间电源的主要来源是太阳电池。但由于传统的硅太阳电池受到空间辐射后电池性能衰减较快，转换效率低等影响，不能满足先进飞行器的要求。而GaAs太阳...
关键词：高效太阳能电池 空间技术 性能衰减 锗单晶 GAAS太阳电池 硅太阳电池 GAAS单晶 转换效率 
10cm VGF法GaAs单晶生长过程中热应力的数值模拟被引量：2
《红外与激光工程》2010年第3期411-413,426,共4页涂凡 苏小平 屠海令 张峰燚 丁国强 王思爱 
国家863计划资助项目(2002AAF3102)
采用数值模拟技术模拟了10cm(4in)VGF法GaAs单晶生长过程中的温场分布、固液界面形貌以及热应力分布。推导得到了固液界面形状与轴向温度梯度和径向温度梯度之间的关系,定义了一个固液界面形状函数,用以表征固液界面偏离度。固液界面偏...
关键词：数值模拟 VGF GAAS 固液界面 热应力 临界剪切应力 
VGF法GaAs单晶位错分布的数值模拟和Raman光谱研究被引量：5
《稀有金属》2010年第2期237-242,共6页涂凡 苏小平 屠海令 张峰燚 丁国强 王思爱 
国家863项目(2002AAF3102)资助
采用数值模拟技术和Raman光谱法对4inch垂直梯度凝固(VGF)法GaAs单晶位错进行了研究。运用数值模拟软件计算了GaAs晶体生长过程中的位错分布,模拟计算与实验结果一致。通过Raman光谱测量,定量计算了晶片表面的残余应力分布。Raman测量...
关键词：数值模拟 GaAs 位错密度 残余应力 Raman光谱法 位错胞状结构 
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