苏小平

作品数：44被引量：203H指数：9
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供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文主题：化学气相沉积数值模拟VGF锗单晶硫化锌更多>>
发文领域：电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>
发文期刊：《真空科学与技术学报》《激光技术》《广东微量元素科学》《高分子学报》更多>>
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CVD法制备ZnS的数值模拟
《热加工工艺》2013年第4期170-172,共3页王凡 苏小平 张树玉 
介绍了红外用光学材料ZnS的性能和制备方法。通过建立CVD法制备ZnS的物理模型,针对流量和压力对沉积过程的影响进行了数值模拟。结果表明,随气体流量的减小,沉积室内气流柱增高,回流区域增大,沉积速率增大且最大值上移。随沉积压力的减...
关键词：化学气相沉积 数值模拟 ZNS 
6英寸砷化镓单晶VGF法生长中坩埚-埚托间隙对晶体生长过程影响被引量：6
《稀有金属》2011年第4期617-622,共6页涂凡 苏小平 张峰燚 黎建明 丁国强 
国家863项目(2002AAF3102)资助
在VGF法生长6英寸GaAs单晶的实际生长过程中,坩埚与坩埚托之间难以实现完全的理想贴合。坩埚与埚托之间的空隙对晶体生长过程中的温场和固液界面形状影响较大。通过模拟计算5种不同的空隙形状时的温场与热应力分布,发现随着空隙面积的增...
关键词：垂直梯度凝固 数值模拟 空隙 固液界面 热应力分布 
数字模拟法研究坩埚锥角对VGF法GaAs单晶生长的影响被引量：4
《稀有金属》2011年第4期525-530,共6页王思爱 苏小平 张峰燚 丁国强 涂凡 
国家“863”高技术研究项目(2002AAF3102)资助
坩埚锥角是诱发VGF法GaAs单晶出现孪晶与多晶的重要因素之一,应用数值模拟的方法对其进行了研究与探讨,研究发现,在晶体生长的放肩阶段,坩埚锥角为60°,90°,120°3种情况下,晶体生长的固液界面均凹向熔体,随坩埚锥角α的增大,接触角θ...
关键词：坩埚锥角 GAAS单晶 数字模拟 
VGF法生长4英寸GaAs单晶固液界面形状和热应力的数值模拟研究被引量：6
《稀有金属》2011年第3期388-393,共6页涂凡 苏小平 张峰燚 黎建明 丁国强 王思爱 
国家863项目(2002AAF3102)资助
采用专业晶体生长数值模拟软件C rysMas,模拟了垂直梯度凝固法(VGF)生长4英寸GaAs单晶过程中的固液界面形状,发现晶体在生长过程中固液界面形状经历了由凹到凸的变化。数值模拟结果表明熔体中和晶体中的轴向温度梯度之比小于0.4时,固液...
关键词：数值模拟 垂直梯度凝固技术 GAAS 固液界面 热应力 
VGF法生长6英寸Ge单晶中热应力的数值模拟优化被引量：3
《稀有金属》2011年第2期244-248,共5页丁国强 苏小平 张峰燚 黎建明 冯德伸 
国家“863”高技术研究项目(2002AAF3102)资助
VGF技术生长单晶时温度梯度较低,生长速率较小,目前已成为生长大直径、低位错密度晶体的主流技术之一。采用数值模拟研究了VGF法6英寸低位错Ge单晶的生长,结果表明在采用自主研发的VGF炉生长6英寸Ge单晶时,晶体生长过程中晶体与熔体中...
关键词：锗单晶 垂直梯度凝固 数值模拟 
VGF法生长6英寸GaAs单晶生长速率的优化被引量：3
《稀有金属》2011年第1期42-46,共5页丁国强 屠海令 苏小平 张峰燚 涂凡 王思爱 
国家"863"高技术研究项目(2002AAF3102)资助
晶体的生长速率关系着晶体质量和生产效率,保证晶体质量的同时,实现较高的生产效率是晶体生长速率优化的主要目标。VGF技术生长晶体时,晶体的生长速率主要取决于控温点的温度及降温速率。在保持加热器控温点不变的情况下,利用数值模拟...
关键词：砷化镓 生长速率 数值模拟 垂直梯度凝固 
SiCl_4中SiHCl_3的去除及检测方法研究进展被引量：1
《稀有金属》2011年第1期143-149,共7页毛威 苏小平 王铁艳 袁琴 
国家科技支撑计划课题(2007BAE39B06)资助项目
SiCl4是光纤制造的关键原材料,其质量的高低决定着光纤的传输性能。SiHCl3是SiCl4中常见的一种含氢杂质,其含量的多少对SiCl4质量产生严重影响。综述了国内外对于SiCl4中SiHCl3去除方法的研究进展,主要有精馏法、等离子体法、光化法,以...
关键词：SiCl4 光纤 SiHCl3 去除 检测 
光化法去除四氯化硅中三氯氢硅的实验研究被引量：5
《无机盐工业》2010年第12期37-39,共3页毛威 苏小平 王铁艳 袁琴 莫杰 任剑 
以市售粗四氯化硅为原料,对光化法去除四氯化硅中常见的三氯氢硅杂质进行了研究。分析了以波长为330~380 nm的紫外线为光源,进行三氯氢硅的光化反应过程中,影响光化效果的主要因素及其相互之间的关系。研究表明：光化时间随着原料量的...
关键词：四氯化硅 三氯氢硅 光化反应 
GaAs/Ge太阳能电池用锗单晶的研究新进展被引量：14
《金属功能材料》2010年第6期78-82,共5页李苗苗 苏小平 冯德伸 王学武 左建龙 
硅太阳能电池由于光电转换效率低和温度特性差等因素,最近几十年其在聚光光伏技术中并没有得到更大的发展,而砷化镓及相关Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳能电池因其高光电转换效率而越来越受到关注,尤其是用于空间电源。目前国内外对太阳能电池的的...
关键词：GaAs/Ge太阳能电池 锗单晶 基板 制备 
空间高效太阳能电池用高性能锗单晶研制被引量：1
《中国科技成果》2010年第8期51-51,55,共2页杨海 苏小平 冯德伸 
美国、俄罗斯、中国、印度、日本、欧洲等国家都投入大量的资源发展空间技术。目前，空间电源的主要来源是太阳电池。但由于传统的硅太阳电池受到空间辐射后电池性能衰减较快，转换效率低等影响，不能满足先进飞行器的要求。而GaAs太阳...
关键词：高效太阳能电池 空间技术 性能衰减 锗单晶 GAAS太阳电池 硅太阳电池 GAAS单晶 转换效率 
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