高温退火时化学计量比偏离对GaAs晶体气固相平衡的影响  

作　　者：赵福川[1] 夏冠群[1] 杜立新[1] 谈惠祖[1] 莫培根[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第7期562-568,共7页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文利用Ｗｅｎｚｌ的ＧａＡｓ缺陷模型研究了在Ｔ＝１１５０℃时，Ｇａ１－ｘＡｓｘ固溶体化学计量比偏离度（Ｓ＝１－２ｘ）对ＧａＡｓ晶体气固相平衡的影响．计算表明平衡Ａｓ压在晶体富Ａｓ情况下（即Ｓ＜０）随Ｓ的减小，迅速增加、而在富Ｇａ情况下（即Ｓ＞０）随Ｓ的增大趋于零．为了了解杂质对相平衡的影响，本文考虑了非掺ＬＥＣ晶体中两种浓度较高的杂质Ｃ和Ｂ，发现在Ｃ浓度为１．５４×１０１６ｃｍ－３时，平衡Ａｓ压的变化趋势基本不变，Ａｓ压只有少许增加．在Ｂ浓度为２．２×１０１７ｃｍ－３时，平衡Ａｓ压在富Ａｓ侧有较大降低．

关 键 词：砷化镓 高温退火 气固相平衡 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]