半绝缘GaAs单晶中的微沉淀  

作　　者：莫培根[1] 朱健[1] 吴巨[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所

出　　处：《稀有金属》1989年第1期50-53,共4页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：利用 JEM-200CX 透射电子显微镜观察了原生未掺杂及掺铟的半绝缘 GaAs 单晶中的微沉淀相,发现含位错的晶体中均有 GaAs 的微多晶粒沉淀相,大小在5～100nm 不等。根据 EDXA 分析,这些微多晶粒是富砷的 GaAs,富砷的程度掺铟的比未掺的严重。沉淀相可能是由于晶体生长时,生长界面局部组份过冷所引起。

关 键 词：GAAS 单晶 沉淀 绝缘 相变 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]