朱健

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供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：电镜观察铋系超细铁粉超导体氧沉淀更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>
发文期刊：《无机材料学报》《稀有金属》《上海金属》《电子显微学报》更多>>
所获基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
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氩注入砷化镓中的高分辨电镜观察
《电子显微学报》1994年第6期477-477,共1页朱健 徐景阳 
浙江大学高纯硅国家重点实验室基金和国家自然科学基金
氩注入砷化镓中的高分辨电镜观察朱健，徐景阳（中国科学院上海冶金研究所，上海２０００５０）本工作用截面法制备电镜试样，在高分辨电子显微镜中观察到１７０ＫｅＶ能量的氩注入砷化镓中的精细结构。由于注入的惰性气体不固溶于砷化...
关键词：砷化镓 半导体材料 氩 注入 电子显微镜 
Bi系超导氧化物调制结构中的缺陷及其作用
《电子显微学报》1994年第4期253-257,共5页施天生 吴晓初 朱健 魏旺水 
国家超导研究开发中心; 国家自然科学基金
利用［１００］方向的高分辨晶格像研究了Ｂｉ系氧化物调制结构中的特征缺陷，及其对相变和材料超导性能的影响。
关键词：缺陷 调制结构 铋系 氧化物 超导体 BSCCO 
铋系高Tc超导体的电镜观察
《电子显微学报》1993年第2期137-137,共1页朱健 周锷猷 
本文利用JEM-200CX和JEM-4000EX电子显微镜对Bi_(1.6)Pb_(0.4)Sr_2Ca_2Cu_3O_y块状超导体进行了显微结构的研究。块状超导样品用高纯度的Bi_2O_3,PbO,SrO_2,CaO_3和CuO的粉末,按成份配比Bi_(1.6):Pb_(0.4):Sr_2:Ca_2:Cu_3:O_Y,经充分混...
关键词：超导体 BPSCCO 金相分析 电子显微镜 
MoCVD法生长的YBCO/SrTiO_3超导薄膜的显微结构和缺陷
《无机材料学报》1992年第4期495-498,共4页朱健 陶卫 施天生 温树林 
国家超导联合研究开发中心;中国科学院高性能陶瓷;超微结构实验室的资助
用 X 射线衍射和高分辨电镜研究了 MOCVD 法生长的 YBCO/SrTiO_3超导薄膜的显微结构和缺陷.发现在 T_c≈80K,J_c 近似10~4A/cm^2的 c 轴择优取向的薄膜中,存在着非晶型夹杂,杂相和其它取向的123相,它们可能是限制薄膜超导性能进一步提...
关键词：高温超导 缺陷 MOCVD 超导薄膜 
化合物半导体异质外延层中的缺陷
《分析测试通报》1990年第5期72-73,共2页朱健 施天生 
本文报道了用MBE方法在Si(100)上生成GaAs和用MOCVD方法在GaAs(100)上生成CdTe的异质外延层中的某些缺陷。用JEM-4000EX和JEM-200CX电镜观察,电子束沿晶体的[011]方向入射,观察到的晶体缺陷运用高分辨像和选区衍射技术进行研究和分析。...
关键词：异质外延层 化合物半导体 缺陷 
超细铁粉的高分辩电镜观察
《电子显微学报》1990年第3期183-183,共1页朱健 
本工作用高分辩电子显微术观察超细铁粉的精细结构。铁基粉未是现代粉未冶金的一个重要部分,也是当前粉未冶金研究中最活跃的领域之一。铁粉是铁基粉未冶金工业的基本原料,也是一种下在迅速发展的新技术材料。采用粉未冶金技术制造各种...
关键词：铁粉 精细结构 电镜 
含氮直拉硅中氧沉淀及伴生缺陷的特征
《电子显微学报》1990年第3期192-192,共1页吴晓初 朱健 施天生 祁明维 谭淞生 褚一鸣 
氧沉淀吸杂工艺的应用使直拉硅中氧的沉淀及伴生缺陷的形成及其微观结构成为热门的研究课题。氮因有钉扎位错,增加硅片强度的作用而引起重视,并在实际应用中收到了良好的效果,本工作用TEM和HREM研究了氮在直拉硅中沉淀相及其伴生缺陷的...
关键词：含氮 直拉硅 氧沉淀 伴生缺陷 硅 
钢领显微亚结构分析及抗磨损机理
《上海金属》1990年第2期17-23,共7页俞绳祖 朱健 
本文通过高压透射电子显微镜,对国外钢领和国产钢领的金属薄膜,进行了微观亚结构和相成分的电子显微对比分析,并结合HOLM和BURWELL的磨损方程和钢领的疲劳极限以及裂纹扩展门槛值ΔKth,在钢领的前期抗粘着磨损和后期抗疲劳磨损中的作用...
关键词：钢领 显微分析 亚结构 抗磨损 
半绝缘GaAs单晶中的微沉淀
《稀有金属》1989年第1期50-53,共4页莫培根 朱健 吴巨 
利用 JEM-200CX 透射电子显微镜观察了原生未掺杂及掺铟的半绝缘 GaAs 单晶中的微沉淀相,发现含位错的晶体中均有 GaAs 的微多晶粒沉淀相,大小在5～100nm 不等。根据 EDXA 分析,这些微多晶粒是富砷的 GaAs,富砷的程度掺铟的比未掺的严...
关键词：GAAS 单晶 沉淀 绝缘 相变 
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