含氮直拉硅中氧沉淀及伴生缺陷的特征  

作　　者：吴晓初[1] 朱健[1] 施天生[1] 祁明维 谭淞生[1] 褚一鸣 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所 [2]中国科学院北京电子显微镜实验室

出　　处：《电子显微学报》1990年第3期192-192,共1页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

摘　　要：氧沉淀吸杂工艺的应用使直拉硅中氧的沉淀及伴生缺陷的形成及其微观结构成为热门的研究课题。氮因有钉扎位错,增加硅片强度的作用而引起重视,并在实际应用中收到了良好的效果,本工作用TEM和HREM研究了氮在直拉硅中沉淀相及其伴生缺陷的特征,并和不含氮的样品进行了对比。所用材料为N型无位错直拉硅单晶,含5.5×10^(17)cn^(-3)的氧和8.4×10^(15)cm^(-3)的氮,经过450℃64小时+750℃223小时+1050℃3小时三步退火处理。IR分析表明此时样品中53％的氧和100％的氮已消失,样品减薄到3μm后,用Ar^+减薄成电镜试样,在JEM-200cx上进行TEM和HREM观察。

关 键 词：含氮 直拉硅 氧沉淀 伴生缺陷 硅 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]