氩注入砷化镓中的高分辨电镜观察  

作　　者：朱健[1] 徐景阳[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所

出　　处：《电子显微学报》1994年第6期477-477,共1页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

基　　金：浙江大学高纯硅国家重点实验室基金和国家自然科学基金

摘　　要：氩注入砷化镓中的高分辨电镜观察朱健，徐景阳（中国科学院上海冶金研究所，上海２０００５０）本工作用截面法制备电镜试样，在高分辨电子显微镜中观察到１７０ＫｅＶ能量的氩注入砷化镓中的精细结构。由于注入的惰性气体不固溶于砷化镓，它以高压泡形式存在，泡中还有气...

关 键 词：砷化镓 半导体材料 氩 注入 电子显微镜 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]