高元凯

作品数：10被引量：10H指数：2
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发文期刊：《光子学报》《压电与声光》《人工晶体学报》《功能材料与器件学报》更多>>
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电沉积Al_xGa_(1-x)As薄膜及性能研究
《功能材料与器件学报》2002年第1期13-17,共5页韩爱珍 王喜莲 高元凯 
利用电共沉积技术,在简单盐和带有络合剂的盐酸溶液中,制备了AlxGa1-xAs三元化合物薄膜。用能谱分析仪测量了薄膜成分,分析结果表明,该膜为符合化学计量比的三元化合物AlxGa1-xAs半导体材料,用分光光度计对膜进行测量,在较宽光波波段获...
关键词：电共沉积 三元化合物 半导体薄膜 砷化镓 性能 镓铝砷化合物 
Al_xGa_(1-x)As三元化合物共沉积研究
《太阳能学报》2000年第3期239-242,共4页杨春晖 叶水驰 韩爱珍 高元凯 
在简单盐溶液中添加络合剂——柠檬酸 ,电共沉积 Alx Ga1 - x As三元化合物。用能谱分析仪进行成分分析 ,获得化学计量比接近 Al0 .3Ga0 .7As的三元化合物半导体材料。
关键词：ALGAAS 三元化合物 电共沉积 络合剂 
Ce：Fe：LiNbO_3晶体的生长与其四波混频效应的研究被引量：3
《人工晶体学报》1996年第1期44-48,共5页韩爱珍 孙尚文 高元凯 葛云成 
本文报道了Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体的生长．采用简并四波混频光路测试晶体相位并轭反射率、响应时间和相位共轭温度效应．在６３２．８ｎｍ和４８８．０ｎｍ波长的非简并四渡混频中，获得了变频相位共轭光。具有温度增强效应。
关键词：引上法 晶体生长 光折变效应 铌酸锂 
高掺镁铌酸锂晶体的生长及其激光器件性能的研究被引量：1
《人工晶体学报》1995年第2期160-165,共6页韩爱珍 高元凯 孙尚文 
本文报道高掺镁铌酸锂晶体的生长，测试了晶体的光学性能——双折射梯度和消光比、晶体的光折变阈值、红外透射光谱和光电导。用高掺镁铌酸锂晶体制做了倍频器和Ｑ开关，研究了它们的性能和应用。
关键词：掺镁 铌酸锂 晶体生长 倍频器件 激光器 性能 
Ce：Eu：LiNbO_3晶体的相位共轭镜性能及其应用研究被引量：4
《光子学报》1994年第4期293-297,共5页李铭华 高元凯 贾晓林 许世文 
国家自然科学基金
本文介绍了用溶体提拉法生长Ｃｅ：Ｅｕ：ＬｉＮｂＯ３晶体，并以该晶体作为相位共轭镜，采用四波混频方法实现了相位共轭波输出，在全光学实时全息关联存储系统中取得了良好的结果。
关键词：铌酸锂晶体 相位共轭 关联存储 
锗酸铋晶体二波耦合效应的研究
《光子学报》1994年第3期246-250,共5页高元凯 李铭华 金婵 徐玉恒 刘景和 杨奎盛 
国家自然科学基金
本文叙述了锗酸铋晶体的生长。采用二波耦合光路测试ＢＧＯ晶体的衍射效率和增益系数，研究ＢＧＯ晶体的二波耦合中光波的位相变化。
关键词：锗酸铋晶体 二波耦合 衍射 增益 
Ce：Mn：LiNbO_3晶体的生长及其相位共轭效应被引量：1
《人工晶体学报》1994年第3期207-210,共4页高元凯 宋磊 徐玉恒 刘劲松 安毓英 
黑龙江省科学基金
在ＬｉＮｂＯ＿３中同时掺入ＣｅＯ＿２和ＭｎＯ＿２，生长了Ｃｅ：Ｍｎ：ＬｉＮｂＯ＿３晶体，对晶体的晶格常数和吸收光谱的测试表明，Ｃｅ：Ｍｎ：ＬｉＮｂＯ＿３晶体结构规则，光学性能优良。它的四波混频相位共轭反射率高达９００...
关键词：光学晶体 晶体生长 相位共轭 
m线法研究掺杂LiNbO_3晶体波导基片的光损伤被引量：1
《光子学报》1994年第2期179-183,共5页许世文 李铭华 高元凯 徐玉恒 袁茵 万立德 
采用ｍ线法研究了掺杂ＬｉＮｂＯ３晶体波导基片的光损伤，发现抗光损伤能力依次为Ｍｇ：ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＮｂＯ３、Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３（氧化），Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３（还原）。对于同样材料，质子交换光波导的抗光损伤能力高于钛扩...
关键词：m线法 波导 光损伤 铌酸锂 
Ce：Eu：LiNbO_3晶体的生长及其二波耦合效应的研究
《人工晶体学报》1994年第1期77-81,共5页贾晓林 高元凯 赵华 张景文 李铭华 徐崇泉 刘景和 杨奎盛 
国家自然科学基金
本文报道了Ｃｅ：Ｅｕ：ＬｉＮｂＯ＿３晶体的生长。采用二波耦合光路研究和测试了晶体的增益系数、衍射效率、全息擦除特性和晶体的光电导。Ｃｅ：Ｅｕ：ＬｉＮｂＯ＿３晶体具有优异的光折变性能，是优良的全息存储介质材料。
关键词：铈 销 二波耦合 晶体 铌酸锂 
Bi:BGO单晶相位共轭效应的研究
《压电与声光》1992年第6期44-47,共4页李铭华 刘彩霞 贾晓林 徐玉恒 高元凯 孙光跃 
国家自然科学基金资助项目
本文采用提拉法生长BGO单晶和Bi:BGO单晶,测试晶体相位共轭反射率和响应时间,发现Bi:BGO晶体相位共轭反射率比BGO晶体提高了一倍。研究了Bi:BGO晶体相位共轭反射率与外电场的关系,以及Bi:BGO晶体的光折变机理。
关键词：单晶 相位共轭 光折变 锗酸铋晶体 
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