叶水驰

作品数：18被引量：12H指数：2
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供职机构：哈尔滨工业大学航天学院卫星技术研究所更多>>
发文主题：磁场SE晶体生长碲镉汞晶体非晶态更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术航空宇航科学技术更多>>
发文期刊：《高技术通讯》《材料研究学报》《微处理机》《哈尔滨工业大学学报》更多>>
所获基金：哈尔滨市青年科学研究基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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具有非平衡变换功能的CMOS LNA设计
《微处理机》2008年第3期47-50,共4页胡柳林 叶水驰 
采用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计了一个工作在2.4GHz上,具有非平衡变换功能的低噪声放大器。电路由两级构成,第一级主要实现高增益低噪声,第二级主要实现非平衡变换的功能。仿真结果显示噪声系数小于1dB,增益大于28.5dB,输入三截交调点为...
关键词：CMOS射频集成电路 低噪声放大器 非平衡变换器 
一种高线性度CMOS混频器的设计被引量：1
《半导体技术》2007年第2期117-120,共4页吴明明 叶水驰 
国家973科研计划项目(51312)
采用线性化技术改进的混频器结构提高了线性度。采用TSMC 0．18μm RF CMOS模型进行了电路仿真。仿真结果:在电源电压为1．8 V时,输入三阶截断点(IIP3)为10．3 dBm,输入1 dB压缩点(P-1dB)为-3．5 dBm,增益为9．2 dB,单边带噪声系数为17...
关键词：双平衡混频器 互补金属氧化物半导体工艺 射频集成电路 
两段式结构赝三元材料热电模块的研究
《材料科学与工艺》2004年第5期509-511,共3页张国威 叶水驰 李海军 刘振茂 
在实验研究单段式结构赝三元材料的热电模块基础上,利用现有半导体致冷器生产工艺,依据热电材料的温度特性和冷热端工作温度,采用不同电阻率的赝三元材料,设计制作了两段式结构的热电模块.研究表明,当冷、热端工作温差为80K时,其输出功...
关键词：三元 实验研究 左右 材料 利用 依据 温差 发电效率 模块 设计制作 
非晶态Se薄膜的自发晶化研究被引量：4
《光学学报》2001年第4期499-503,共5页鲍海飞 叶水驰 王利平 王骐 
哈尔滨市青年基金!(1997年 )资助项目
利用真空热蒸镀的方法制备了非晶Se薄膜 ,测试了稳定的非晶Se薄膜、不稳定的非晶Se薄膜和初始自发晶化的非晶Se薄膜的透射率光谱和拉曼光谱。对透射率光谱曲线进行了拟合 ,计算了薄膜的厚度和折射率随波长的变化关系。在自发晶化过程中 ...
关键词：非晶Se薄膜 自发晶化 拉曼光谱 非晶硒薄膜 透射率光谱 真空热蒸镀 
Al_xGa_(1-x)As三元化合物共沉积研究
《太阳能学报》2000年第3期239-242,共4页杨春晖 叶水驰 韩爱珍 高元凯 
在简单盐溶液中添加络合剂——柠檬酸 ,电共沉积 Alx Ga1 - x As三元化合物。用能谱分析仪进行成分分析 ,获得化学计量比接近 Al0 .3Ga0 .7As的三元化合物半导体材料。
关键词：ALGAAS 三元化合物 电共沉积 络合剂 
在横向磁场中用Bridgman法生长HgCdTe晶体被引量：2
《材料研究学报》2000年第1期76-81,共6页蓝慕杰 叶水驰 鲍海飞 周士仁 姚枚 
在横向磁场中用 Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长的晶锭其轴向组分分布在中部和尾部具有相同的趋势，在头部有三种类型的分布磁场通过对固液混合区对流的作用影响溶质的再分布和轴向组分分布突然施加磁场和中断磁场都引起轴向组分分布的突变．...
关键词：HGCDTE BRIDGMAN法 磁场 晶体生长 金属复合物 
GaAs半导体薄膜电沉积的研究被引量：1
《太阳能学报》2000年第1期110-113,共4页杨春晖 徐吾生 韩岩 杨兆明 韩爱珍 叶水驰 高元凯 
利用改进试验装置 ,及在简单盐溶液中加入添加剂的方法 ,电沉积制备出 Ga As薄膜。扫描电镜和 X射线衍射仪测试结果表明 ,薄膜成分更接近化学计量比 1∶ 1,各次试验数值分散性小 ,厚薄均匀。
关键词：GaAs薄膜 电沉积 添加剂 半导体薄膜 
掺镁PbWO_4晶体的生长及其闪烁性能研究被引量：1
《高技术通讯》1999年第5期41-44,共4页叶水驰 刘欣荣 杨春晖 徐悟生 徐玉恒 陈刚 
国家自然科学基金
用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法生长了掺镁ＰｂＷＯ４晶体，测试了Ｍｇ：ＰｂＷＯ４晶体的透射光谱、激发发射光谱、发光效率和衰减时间。Ｍｇ：ＰｂＷＯ４晶体的透过率和发光效率高于Ｐｂ－ＷＯ４晶体。
关键词：掺镁 晶体生长 发光效率 衰减时间 钨酸铅 
外加横向磁场下Bridgman法生长HgCdTe晶体的实验研究
《哈尔滨工业大学学报》1999年第3期8-10,共3页蓝慕杰 叶水驰 鲍海飞 于杰 周士仁 王培林 
介绍自行研制的可以施加横向磁场中的垂直Bridgman法晶体生长装置，该装置磁场强度可在0－0．6T围内连续调节，生长区温度梯度达40－70℃／cm．不同磁场强度下进行了HgCdTe晶体生长实验，通过测量分析，研究了轴向和径向组分分布的变化...
关键词：磁场 晶体生长 BRIDGMAN法 碲镉汞晶体 
非晶态Se薄膜晶化过程中微裂纹产生的研究
《材料科学与工艺》1998年第3期77-80,共4页叶水驰 鲍海飞 蓝幕杰 王骐 
薄膜在热处理过程中存在微观结构的变化。利用光学显微镜对非晶态Ｓｅ薄膜在晶化过程中微裂纹的产生做了详细的分析和研究；利用位形坐标解释了非晶薄膜室温下转变的原因。并对三层结构的ＳｉＯ／Ｓｅ／ＳｉＯ的晶化做了进一步研究。结...
关键词：微裂纹 位形坐标晶化 非晶态 薄膜 晶化 硒 
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