张国威

作品数：15被引量：14H指数：2
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发文主题：无阀微泵扩散多晶硅功率晶体管甲醇燃料电池更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术机械工程自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《传感技术学报》《光学精密工程》《哈尔滨工业大学学报》《中国机械工程》更多>>
所获基金：国家自然科学基金“微小型航天器系统技术”长江学者创新团队发展计划更多>>
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利用子空间法识别统计能量分析参数被引量：1
《工程力学》2012年第1期13-19,共7页张红亮 孔宪仁 张国威 
微小型航天器系统技术项目(IRT0520)
利用统计能量分析进行高频动力学环境响应预示的关键步骤之一是确定可靠的统计能量分析参数。该文研究了基于子空间的统计能量分析一阶功率流模型辨识和模型修正理论,基于多变量输出误差状态空间(MOESP)算法和约束优化思想,提出一种利...
关键词：统计能量分析 子空间方法 模态密度 内损耗因子 耦合损耗因子 
平面无阀微泵的设计与制作被引量：2
《哈尔滨工业大学学报》2007年第6期936-939,共4页张宇峰 张国威 刘晓为 陈伟平 王喜莲 王蔚 倪鹤南 
国家自然科学基金资助项目(60276038)
依据扩散口/喷嘴理论,设计了具有单向整流特性的无阀微泵.采用硅平面工艺、各向异性腐蚀、削角补偿和静电键合等微机械加工工艺技术,制作了平面尺寸为18 mm×13 mm的无阀微泵.经过测试,当扩散口/喷嘴长度为2.5μm、扩散口/喷嘴的窄口宽...
关键词：扩散口 喷嘴 无阀微泵 微机电系统 
基于硅各向异性腐蚀的平面沟道无阀微泵研究被引量：1
《中国机械工程》2005年第z1期119-121,共3页张国威 刘晓为 陈伟平 倪鹤南 王喜莲 
国家自然科学基金资助项目(60276038)
依据扩散口/喷嘴理论,设计了不同几何尺寸无阀微泵的扩散口/喷嘴光刻掩模版图,采用硅平面工艺、各向异性腐蚀及削角补偿等技术,制作出了多种无阀微泵.对无阀微泵泵压及流量进行了实验研究,结果表明:泵压与流量均呈现反比关系;扩散口/喷...
关键词：扩散口 喷嘴 泵压 无阀微泵 
两段式结构赝三元材料热电模块的研究
《材料科学与工艺》2004年第5期509-511,共3页张国威 叶水驰 李海军 刘振茂 
在实验研究单段式结构赝三元材料的热电模块基础上,利用现有半导体致冷器生产工艺,依据热电材料的温度特性和冷热端工作温度,采用不同电阻率的赝三元材料,设计制作了两段式结构的热电模块.研究表明,当冷、热端工作温差为80K时,其输出功...
关键词：三元 实验研究 左右 材料 利用 依据 温差 发电效率 模块 设计制作 
嵌入式仪器中冗余备份的处理技术被引量：1
《光学精密工程》2004年第z1期104-107,共4页谭晓昀 张国威 刘晓为 宫兵 
在已研制的某嵌入式仪器中,以80C31单片微机为核心,外扩ADC0816转换器等,完成特定的测控功能,由于该嵌入式仪器电路较庞大复杂,并且程序要求可靠性较高,因此采用了冗余备份的处理技术,该处理技术使嵌入式仪器既可工作在热备份状态又可...
关键词：嵌入式 可靠性 冗余备份 
嵌入式仪器中断多优先级的处理技术
《光学精密工程》2004年第z1期240-243,共4页谭晓昀 张国威 刘晓为 宫兵 
在已研制的某嵌入式仪器中(以80C31单片微机为核心,外扩ADC0816转换器等,完成特定的测控功能),由于该嵌入式仪器电路较庞大复杂,并且程序要求实时性较高,因此采用了中断多优先级的软件模拟处理技术,实践证明该技术对嵌入式仪器的实时处...
关键词：嵌入式 中断 优先级 
硼掺杂多晶硅薄膜电阻率的温度特性
《Journal of Semiconductors》1994年第6期429-434,共6页刘晓为 张国威 刘振茂 理峰 
本文研究了用于制作压阻传感器的硼掺杂ＬＰＣＶＤ多晶硅薄膜电阻率的温度特性．在室温～４５０℃较高温度范围，实验发现电阻率与温度的关系中存在一个极小值，理论分析表明极小值所对应的温度正比于晶界势垒高度，理论分析与实验结果...
关键词：多晶硅 膜膜 电阻率 硼 掺杂 温度 
半导体致冷电对金属化层粘接强度的研究
《哈尔滨工业大学学报》1994年第5期73-76,共4页刘振茂 赵秀平 李志伟 张国威 权五云 
试验研究了三种半导体致冷电对金属化系统的拉伸强度，其中铋─镍─锡金属化系统与半导体致冷材料粘接强度最高，超过原始棒状材料的拉伸强度，它是半导体致冷器电对的最好的金属化系统．
关键词：金属化层 粘接强度 半导体 致冷材料 
碲化镉新型β-射线探测器的研制
《传感技术学报》1994年第2期1-6,共6页刘振茂 张好源 张国威 理峰 
本文介绍一种新型的β—射线探测器的制造过程及其特性.采用背吸杂技术有效地降低了器件的反向漏电流并提高了成品率,提出并应用真空镀铜工艺制作P型碲化镉的低阻接触,取得了良好的效果,该探测器由一个PN结二极管构成.在20℃,2V的电压...
关键词：碲化镉 β-射线 探测器 
镍锡金属化半导体致冷器的电冲击试验研究被引量：1
《哈尔滨工业大学学报》1993年第5期32-36,共5页张国威 赵秀平 李志伟 权五云 刘振茂 
报导了采用电冲击方法,试验比较了镍锡金属化层和普通锑铋合金金属化层用于半导体致冷器制造时产生的性能上的差别.试验结果表明,镍锡金属化层提高了致冷器的电性能和耐电、热冲击性能。
关键词：半导体制冷器 镍锡金属化层 电冲击 
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