刘振茂

作品数：15被引量：14H指数：2
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发文主题：多晶硅功率晶体管击穿电压计算机模拟微泵更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术机械工程更多>>
发文期刊：《哈尔滨理工大学学报》《传感技术学报》《哈尔滨工业大学学报》《半导体技术》更多>>
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两段式结构赝三元材料热电模块的研究
《材料科学与工艺》2004年第5期509-511,共3页张国威 叶水驰 李海军 刘振茂 
在实验研究单段式结构赝三元材料的热电模块基础上,利用现有半导体致冷器生产工艺,依据热电材料的温度特性和冷热端工作温度,采用不同电阻率的赝三元材料,设计制作了两段式结构的热电模块.研究表明,当冷、热端工作温差为80K时,其输出功...
关键词：三元 实验研究 左右 材料 利用 依据 温差 发电效率 模块 设计制作 
克服低击穿的硅平面技术
《哈尔滨理工大学学报》2002年第4期96-97,100,共3页曹一江 刘振茂 
为提高硅平面大功率管的成品率和可靠性,提出了一种刻蚀槽和低温钝化相结合的克服低击穿的硅平面枝术.采用该技术可消除绝大多数平面晶体管管芯的低击穿和穿通点,从而大幅度提高管芯、特别是大功率管管芯的合格率和高档品率.由于应用该...
关键词：硅平面技术 低击穿 刻蚀沟槽 低温钝化 硅平面大功率管 击穿电压 
微传感器和执行器的计算机模拟技术被引量：1
《传感器技术》2000年第3期18-20,共3页刘晓为 王蔚 王喜莲 刘玉强 刘振茂 
介绍了计算机模拟技术在微传感器和微执行器设计中的应用 ,通过对多晶硅压力传感器和微泵膜片的计算机模拟分析 ,优化了器件的结构设计。
关键词：压力传感器 微泵 计算机模拟 微传感器 执行器 
微泵膜片在静电驱动下的计算机模拟被引量：5
《哈尔滨工业大学学报》1998年第6期16-18,25,共4页刘晓为 车伟 王蔚 李新 刘玉强 刘振茂 范茂军 
国家教委留学人员回国基金
对微泵膜片在静电力驱动下产生的形变和由此引起的微泵腔体体积的变化进行了计算机模拟分析，得出了膜片厚度、形状和静电驱动电压对微泵胶体体积变化的影响，以及膜片振动的固有频率与膜片厚度之间的关系．研究结果为微泵结构的设计优...
关键词：微泵 膜片 有限元 静电力 计算机模拟 
硼掺杂多晶硅薄膜电阻率的温度特性
《Journal of Semiconductors》1994年第6期429-434,共6页刘晓为 张国威 刘振茂 理峰 
本文研究了用于制作压阻传感器的硼掺杂ＬＰＣＶＤ多晶硅薄膜电阻率的温度特性．在室温～４５０℃较高温度范围，实验发现电阻率与温度的关系中存在一个极小值，理论分析表明极小值所对应的温度正比于晶界势垒高度，理论分析与实验结果...
关键词：多晶硅 膜膜 电阻率 硼 掺杂 温度 
半导体致冷电对金属化层粘接强度的研究
《哈尔滨工业大学学报》1994年第5期73-76,共4页刘振茂 赵秀平 李志伟 张国威 权五云 
试验研究了三种半导体致冷电对金属化系统的拉伸强度，其中铋─镍─锡金属化系统与半导体致冷材料粘接强度最高，超过原始棒状材料的拉伸强度，它是半导体致冷器电对的最好的金属化系统．
关键词：金属化层 粘接强度 半导体 致冷材料 
碲化镉新型β-射线探测器的研制
《传感技术学报》1994年第2期1-6,共6页刘振茂 张好源 张国威 理峰 
本文介绍一种新型的β—射线探测器的制造过程及其特性.采用背吸杂技术有效地降低了器件的反向漏电流并提高了成品率,提出并应用真空镀铜工艺制作P型碲化镉的低阻接触,取得了良好的效果,该探测器由一个PN结二极管构成.在20℃,2V的电压...
关键词：碲化镉 β-射线 探测器 
赝三元系半导体致冷材料及器件的研制
《半导体技术》1994年第2期46-48,F003,共4页赵秀平 刘振茂 张国威 李志伟 
研制出高优值系数的Ｐ型和Ｎ型赝三元系Ｂｉ＿２Ｔｅ＿３－Ｓｂ＿２Ｔｅ＿３－Ｓｂ＿２Ｓｅ＿３半导体致冷材料，在室温附近最高优值系数达到３．３×１０￣（－３）／Ｋ，致冷器件制作结果表明，热电性能高于二元系半导体致冷材料。
关键词：赝三元系 半导体材料 半导体致冷器 
在磁场中生长半导体致冷晶体的研究
《黑龙江电子技术》1994年第1期30-33,共4页赵秀平 梁丽新 董兴木 荣剑英 赵洪安 刘振茂 
本文阐述了在磁场中生长B_(i2)T_(e3)——Sb_2T_(e3)——SbS_(e3)三元半导体致冷晶体的方法与设备,实验研究了晶体的强度,在理论上初步探讨了磁场在晶体生长中起的作用。
关键词：磁场 致冷晶体 半导体 晶体生长 
镍锡金属化半导体致冷器的电冲击试验研究被引量：1
《哈尔滨工业大学学报》1993年第5期32-36,共5页张国威 赵秀平 李志伟 权五云 刘振茂 
报导了采用电冲击方法,试验比较了镍锡金属化层和普通锑铋合金金属化层用于半导体致冷器制造时产生的性能上的差别.试验结果表明,镍锡金属化层提高了致冷器的电性能和耐电、热冲击性能。
关键词：半导体制冷器 镍锡金属化层 电冲击 
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